BY25FQ16ESOIG(T)

BY25FQ16ESOIG(T) - Circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit

Le BY25FQ16ESOIG(T) de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit hautes performances, conçu pour les applications industrielles, automobiles et embarquées nécessitant un stockage non volatil fiable. Doté d'interfaces Quad I/O, QPI et DTR avec une fréquence d'horloge de 133 MHz, ce composant offre des performances de lecture/écriture rapides dans un boîtier compact 8-TSSOP pour montage en surface.

Caractéristiques principales :

• Capacité de mémoire de 16 Mbit (2 Mo x 8) pour un stockage de données flexible
• Interface SPI Quad I/O, QPI, DTR pour transfert de données à haut débit
• Fréquence d'horloge de 133 MHz avec un temps d'accès de 5 ns
• Large plage de tension de fonctionnement : 2,7 V à 3,6 V
• Plage de températures industrielles : -40 °C à 85 °C
• Cycles d'écriture rapides : 250 µs par mot, 2,4 ms par page
• Boîtier compact 8-TSSOP pour les conceptions à espace limité

Applications :

Idéal pour le stockage du BIOS, les mises à jour du firmware, l'enregistrement de données, les systèmes embarqués, les appareils IoT, l'électronique automobile et les systèmes de contrôle industriels nécessitant une mémoire non volatile fiable avec un support à long cycle de vie.

Avantages réservés aux distributeurs agréés :

Nous fournissons des composants BYTe Semiconductor 100% authentiques avec une documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et une disponibilité à long terme pour soutenir vos programmes critiques et atténuer les risques d'obsolescence.

Spécifications techniques :

• BY25FQ16ESOIG(T).pdf