BY25FQ16ESSIG(R)

BY25FQ16ESSIG(R) - Mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit

Le BY25FQ16ESSIG® de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR 16 Mbit hautes performances doté d'une interface SPI à quatre E/S avec prise en charge QPI et DTR. Il est conçu pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeant un stockage non volatil fiable, des temps d'accès rapides et une large plage de températures de fonctionnement.

Caractéristiques principales :

• Capacité mémoire de 16 Mbit (2 Mo x 8) – Idéale pour le stockage du firmware, du code de démarrage et l'enregistrement de données.
• Interface SPI haute vitesse - Modes Quad I/O, QPI et DTR jusqu'à 133 MHz pour des opérations de lecture/écriture rapides
• Temps d'accès ultra-rapide : un temps d'accès de 5 ns garantit une récupération rapide des données.
• Large plage de tension d'alimentation (2,7 V à 3,6 V) pour une intégration système flexible.
• Plage de température industrielle - -40 °C à 85 °C (TA) pour environnements difficiles
• Boîtier SOIC 8 broches à montage en surface - Largeur compacte de 5,30 mm pour les conceptions à espace restreint
• Conforme à la directive RoHS – Respectueux de l’environnement et conforme à la réglementation

Applications :

Idéal pour le stockage du BIOS/firmware, les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les appareils IoT et toute application nécessitant une mémoire non volatile fiable et rapide avec un support à long terme.

Avantages réservés aux distributeurs agréés :

Nous fournissons des composants BYTe Semiconductor 100% authentiques avec une documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et une disponibilité à long terme pour soutenir vos programmes de produits et atténuer les risques d'obsolescence.

Spécifications techniques complètes :

• BY25FQ16ESSIG(R).pdf