BY25FQ16ESSIG(T)

BY25FQ16ESSIG(T) - Mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit

Le circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI BY25FQ16ESSIG(T) de BYTe Semiconductor est un composant hautes performances de 16 Mbits conçu pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de données fiable et non volatil. Ce composant dispose d'interfaces Quad I/O et QPI avec prise en charge DTR, offrant des performances de lecture/écriture rapides jusqu'à une fréquence d'horloge de 133 MHz.

Principales caractéristiques et avantages

• Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 16 Mbits (2 Mo x 8) offre un espace suffisant pour le micrologiciel, les données de configuration et le code applicatif.
• Performances rapides : une fréquence d'horloge de 133 MHz avec un temps d'accès de 5 ns garantit une récupération rapide des données.
• Interface flexible : les modes SPI Quad I/O, QPI et DTR prennent en charge diverses architectures système.
• Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V, plage de température de -40 °C à 85 °C pour les applications industrielles
• Boîtier compact : le boîtier CMS SOIC à 8 broches (largeur de 5,30 mm) permet un gain de place sur la carte.
• Stock autorisé : documentation complète du fabricant, traçabilité et assistance tout au long du cycle de vie

Applications typiques

Idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des équipements de télécommunications, des objets connectés, du stockage de microprogrammes embarqués, du BIOS/code de démarrage et de la conservation des données de configuration dans les applications critiques.

Spécifications techniques complètes

Garantie d'authenticité : Tous les composants proviennent de circuits de distribution agréés, avec une traçabilité et une documentation complètes du fabricant. Nous assurons une disponibilité tout au long du cycle de vie afin de protéger vos investissements et de limiter les risques d'obsolescence.

• BY25FQ16ESSIG(T).pdf