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BYTe Semiconductor

BY25FQ16ESTIG(R)

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Recycling Electronic Components

BY25FQ16ESTIG(R) - Mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit

Le BY25FQ16ESTIG® de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit hautes performances, conçu pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil et fiable. Ce composant dispose d'interfaces Quad I/O et QPI avec prise en charge DTR, offrant des performances de lecture/écriture rapides jusqu'à une fréquence d'horloge de 133 MHz.

Principales caractéristiques et avantages

  • Interface haut débit : les modes SPI Quad I/O, QPI et DTR prennent en charge un fonctionnement jusqu’à 133 MHz avec un temps d’accès de 5 ns.
  • Organisation flexible de la mémoire : capacité de 16 Mbit organisée en 2 M x 8 pour une prise en charge polyvalente des applications
  • Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V, plage de température de -40 °C à 85 °C pour les applications industrielles
  • Boîtier compact pour montage en surface : 8-SOIC (largeur de 3,90 mm) pour les conceptions à espace restreint
  • Performances d'écriture rapides : temps de cycle d'écriture par mot de 250 µs, temps de cycle d'écriture par page de 2,4 ms.
  • Conforme à la directive RoHS : fabrication respectueuse de l’environnement et sans plomb

Applications idéales

Idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des télécommunications, de l'Internet des objets (IoT) et toute application embarquée nécessitant un stockage de code fiable, l'enregistrement de données ou des mises à jour de micrologiciel. Disponible en stock chez un distributeur agréé, avec documentation et traçabilité complètes du fabricant pour un support technique tout au long du cycle de vie.

Spécifications techniques complètes

Distributeur agréé : Tous les composants sont livrés avec la documentation complète du fabricant, les certificats de traçabilité et les garanties d’authenticité. Leur disponibilité à long terme assure la pérennité de votre investissement contre l’obsolescence.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Semiconducteur BYTe
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 16 Mbits
Organisation de la mémoire 2M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S, QPI, DTR
Fréquence d'horloge 133 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 250 µs, 2,4 ms
Temps d'accès 5 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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