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BYTe Semiconductor

BY25FQ16ESTIG(T)

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Quantité
Recycling Electronic Components

BY25FQ16ESTIG(T) - Circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit

Le BY25FQ16ESTIG(T) de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit hautes performances, conçu pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de données fiable et non volatil. Doté d'interfaces Quad I/O, QPI et DTR avec une fréquence d'horloge de 133 MHz, ce composant offre des performances de lecture/écriture rapides dans un boîtier CMS 8 broches SOIC compact.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité mémoire de 16 Mbit (2 Mo x 8) – Stockage suffisant pour le firmware, les données de configuration et l'exécution du code.
  • Interface SPI Quad I/O, QPI, DTR - Communication série haut débit avec modes de fonctionnement flexibles
  • Fréquence d'horloge de 133 MHz - Accès rapide aux données avec un temps d'accès de 5 ns
  • Large plage de tension (2,7 V à 3,6 V) - Compatible avec les systèmes 3,3 V et de tension inférieure
  • Plage de températures industrielles (-40 °C à 85 °C) - Fonctionnement fiable en environnements difficiles
  • Temps de cycle d'écriture faibles : 250 µs pour l'écriture d'un mot, 2,4 ms pour l'écriture d'une page, pour une programmation efficace.
  • Boîtier SOIC 8 broches compact - Conception à montage en surface peu encombrante pour les circuits imprimés haute densité

Applications

Idéal pour l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, les équipements de télécommunications, les appareils IoT, le stockage de firmware embarqué, le code BIOS/de démarrage et les applications d'enregistrement de données nécessitant une disponibilité à long terme et une traçabilité complète du fabricant.

Distributeur agréé - Traçabilité complète garantie

Nous fournissons des composants BYTe Semiconductor authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats d'authenticité et d'une traçabilité de la chaîne d'approvisionnement. Tous nos composants proviennent de circuits de distribution agréés, garantissant ainsi qualité, fiabilité et disponibilité à long terme pour vos applications critiques.

Spécifications techniques complètes

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Semiconducteur BYTe
Gamme de produits
Conditionnement Tube | Tube
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 16 Mbits
Organisation de la mémoire 2M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S, QPI, DTR
Fréquence d'horloge 133 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 250 µs, 2,4 ms
Temps d'accès 5 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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