BY25FQ16ESUIG(R)

BY25FQ16ESUIG(R) - Mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit

Le BY25FQ16ESUIG(R) de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit hautes performances, conçu pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil fiable. Ce composant dispose d'interfaces Quad I/O et QPI avec prise en charge DTR, offrant des performances de lecture/écriture rapides jusqu'à une fréquence d'horloge de 133 MHz.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 133 MHz avec un temps d’accès de 5 ns pour une récupération rapide des données.
• Interface flexible : prise en charge des E/S quadruples SPI, QPI et DTR pour une intégration système polyvalente.
• Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V, plage de température de -40 °C à 85 °C
• Encombrement réduit : Boîtier de montage en surface 8-USON (2 x 3 mm) peu encombrant
• Stockage fiable : architecture Flash NOR 16 Mbits (2 M x 8) avec un temps d’écriture de 250 µs par mot et de 2,4 ms par page.
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.

Applications idéales

Idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des équipements de télécommunications, des objets connectés et des applications embarquées nécessitant le stockage de code, les mises à jour de micrologiciel ou l'enregistrement de données avec un support à long terme.

Avantages des distributeurs agréés

Nous fournissons des composants BYTe Semiconductor authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et d'un support technique. Notre stock agréé garantit l'authenticité et la fiabilité de vos conceptions critiques.

Spécifications techniques complètes

• BY25FQ16ESUIG(R).pdf