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BY25FQ16ESWIG(R)
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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BY25FQ16ESWIG(R) - Mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit
Le BY25FQ16ESWIG® de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit hautes performances, conçu pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil fiable. Doté d'interfaces Quad I/O, QPI et DTR, et cadencé à 133 MHz, ce circuit offre des performances de lecture/écriture rapides avec un temps d'accès de 5 ns et supporte une plage de températures industrielles de -40 °C à 85 °C.
Caractéristiques principales :
- Capacité de mémoire flash de 16 Mbit (2 Mo x 8)
- Prise en charge des interfaces SPI Quad I/O, QPI et DTR
- Fréquence d'horloge maximale de 133 MHz pour un transfert de données à haut débit
- Large plage de tension de fonctionnement : de 2,7 V à 3,6 V
- Plage de température industrielle : -40 °C à 85 °C
- Temps d'accès rapide : 5 ns
- Boîtier compact à montage en surface 8-WSON (5 x 6 mm)
- Conforme à la directive RoHS
Applications : Idéal pour l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, les équipements de télécommunications, les appareils IoT et les systèmes embarqués nécessitant un stockage de code et un enregistrement de données fiables.
Distributeur agréé : Nous fournissons des composants BYTe Semiconductor authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, de la traçabilité et de la garantie. Tous les composants sont expédiés sous emballage scellé d'usine (bande et bobine).
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Semiconducteur BYTe |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 2M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 250 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | 5 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (5x6) |
| RoHS |  |
BY25FQ16ESWIG(R).pdf