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BYTe Semiconductor

BY25FQ256ELEIG(R)

Prix habituel €1,95
Prix habituel Prix promotionnel €1,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €1,95 EUR €1,95 EUR
15+ €1,79 EUR €26,85 EUR
25+ €1,76 EUR €44,00 EUR
50+ €1,66 EUR €83,00 EUR
100+ €1,46 EUR €146,00 EUR
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Quantité
Recycling Electronic Components

Mémoire Flash NOR haute performance BYTe BY25FQ256ELEIG(R) - 256 Mbit

La BY25FQ256ELEIG(R) est une solution de mémoire Flash NOR haute densité et basse tension de BYTe Semiconductor, conçue pour les applications embarquées exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce composant de 256 Mbit offre des performances exceptionnelles grâce à son interface d'E/S quadruple SPI et sa compatibilité DTR, fonctionnant à des vitesses allant jusqu'à 166 MHz.

Principales caractéristiques et avantages

  • Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 256 Mbits (32 Mo x 8) offre un espace suffisant pour le micrologiciel, l’enregistrement des données et le code applicatif.
  • Performances rapides : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
  • Interface flexible : les modes SPI Quad I/O, QPI et DTR offrent des options de connectivité polyvalentes pour diverses architectures système.
  • Fonctionnement à faible consommation : la plage de tension d’alimentation de 1,65 V à 1,95 V optimise l’efficacité énergétique des appareils fonctionnant sur batterie et des conceptions économes en énergie.
  • Plage de températures industrielles : La plage de fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit des performances fiables même dans des environnements difficiles.
  • Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-WSON (8 x 6 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
  • Conforme à la norme RoHS : Conception respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications idéales

Idéal pour le stockage BIOS, les firmwares embarqués, l'enregistrement de données, les appareils IoT, les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels et les équipements de télécommunications nécessitant une mémoire non volatile fiable et rapide avec une longue durée de vie.

Pourquoi choisir un distributeur agréé ?

Nous fournissons des composants BYTe Semiconductor 100 % authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, d'une traçabilité et d'une garantie. Notre stock provient directement de circuits de distribution agréés, assurant ainsi l'authenticité des produits et leur disponibilité à long terme pour vos conceptions critiques.

Spécifications techniques complètes

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Semiconducteur BYTe
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 32M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S, QPI, DTR
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 400 µs, 2,4 ms
Temps d'accès 5 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 1,95 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Plaque exposée 8-WDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-WSON (8x6)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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