BY25FQ256ELFIG(R)

BY25FQ256ELFIG(R) - Circuit intégré de mémoire flash NOR 256 Mbit

Le BY25FQ256ELFIG(R) de BYTe Semiconductor est une solution de mémoire Flash NOR haute performance de 256 Mbits conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire dispose d'une interface d'E/S quadruple SPI avec prise en charge QPI et DTR, fonctionnant à des vitesses allant jusqu'à 166 MHz pour un accès et un transfert de données rapides.

Caractéristiques principales :

• Haute capacité : organisation de la mémoire de 256 Mbit (32 Mo x 8).
• Performances rapides : fréquence d’horloge de 166 MHz avec un temps d’accès de 5 ns
• Interface avancée : prise en charge des E/S quadruples SPI, QPI et DTR
• Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 1,65 V à 1,95 V
• Plage de températures industrielles : -40 °C à 85 °C (TA)
• Conditionnement fiable : montage en surface SOIC 16 broches, bande et bobine

Applications :

Idéal pour le stockage de code, l'enregistrement de données, les mises à jour de firmware et les applications de systèmes embarqués nécessitant une mémoire non volatile à haute fiabilité et à longue durée de vie.

Spécifications techniques complètes :

Garantie d'approvisionnement : Stock provenant d'un distributeur agréé, avec documentation complète du fabricant et traçabilité. Un engagement sur le long terme assure la disponibilité de vos conceptions critiques.

• BY25FQ256ELFIG(R).pdf