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BYTe Semiconductor

BY25FQ256ELSIG(R)

Prix habituel €1,95
Prix habituel Prix promotionnel €1,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €1,95 EUR €1,95 EUR
15+ €1,79 EUR €26,85 EUR
25+ €1,76 EUR €44,00 EUR
50+ €1,66 EUR €83,00 EUR
100+ €1,46 EUR €146,00 EUR
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Quantité
Recycling Electronic Components

Mémoire Flash NOR haute performance BYTe BY25FQ256ELSIG(R) - 256 Mbit

La BY25FQ256ELSIG(R) est une solution de mémoire Flash NOR haute densité et basse tension de BYTe Semiconductor, conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce composant de 256 Mbit offre des performances exceptionnelles grâce à son interface SPI à quatre E/S et sa compatibilité DTR, ce qui le rend idéal pour le stockage de code, l'enregistrement de données et les applications de micrologiciel nécessitant un accès en lecture rapide et un stockage non volatil fiable.

Principales caractéristiques et avantages :

  • Stockage haute densité : l'organisation de la mémoire de 256 Mbit (32 Mo x 8) offre un espace suffisant pour les exigences complexes en matière de micrologiciel et de stockage de données.
  • Performances rapides : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
  • Interface avancée : la prise en charge des E/S quadruples SPI, QPI et DTR permet une intégration flexible et un transfert de données à haut débit.
  • Fonctionnement à basse tension : une tension d’alimentation de 1,65 V à 1,95 V optimise l’efficacité énergétique des appareils fonctionnant sur batterie et des conceptions économes en énergie.
  • Plage de températures industrielles : La plage de fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit des performances fiables même dans des environnements difficiles.
  • Boîtier compact pour montage en surface : son format 8-SOIC (largeur de 5,30 mm) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
  • Conditionnement prêt pour la production : le format bande et bobine simplifie les processus d’assemblage automatisés

Applications idéales :

Idéal pour les systèmes embarqués, les appareils IoT, les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les équipements réseau et toute application nécessitant une mémoire non volatile fiable et rapide avec une disponibilité à long terme.

Spécifications techniques complètes :

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Semiconducteur BYTe
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 32M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S, QPI, DTR
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 400 µs, 2,4 ms
Temps d'accès 5 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 1,95 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,209", largeur 5,30 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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