BY25FQ256ELSIG(T)

BY25FQ256ELSIG(T) - Circuit intégré de mémoire flash NOR 256 Mbit

La BY25FQ256ELSIG(T) est une mémoire Flash NOR haute performance de 256 Mbits (32 Mo x 8) de BYTe Semiconductor, conçue pour les applications industrielles et automobiles exigeantes nécessitant un stockage non volatil fiable. Cette mémoire Flash avancée est dotée d'une interface Quad SPI avec prise en charge du DTR (Double Transfer Rate), permettant un transfert de données à haut débit jusqu'à une fréquence d'horloge de 166 MHz.

Principales caractéristiques et avantages

• Haute capacité : capacité de stockage de 256 Mbit (32 Mo) pour l'enregistrement de données et le stockage du firmware à grande échelle.
• Performances rapides : fréquence d’horloge de 166 MHz avec prise en charge des E/S quadruples, QPI et DTR pour des opérations de lecture/écriture rapides.
• Fonctionnement à faible consommation : la plage de tension d’alimentation de 1,65 V à 1,95 V optimise l’efficacité énergétique.
• Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
• Accès rapide : temps d’accès de 5 ns pour des performances système réactives.
• Interface flexible : SPI – Les modes Quad I/O, QPI et DTR offrent des options de connectivité polyvalentes

Applications

Idéal pour les systèmes de contrôle industriels, l'électronique automobile, les appareils IoT, les systèmes embarqués, les équipements d'enregistrement de données et les applications de stockage de micrologiciels nécessitant une fiabilité à long terme et un approvisionnement authentique en composants.

Spécifications techniques complètes

Garantie de qualité et d'authenticité

Tous les composants proviennent de distributeurs agréés et sont accompagnés de leur documentation et traçabilité complètes. Conformes à la directive RoHS. Nous nous engageons à fournir des composants électroniques authentiques et de haute qualité pour les applications critiques.

• BY25FQ256ELSIG(T).pdf