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BY25FQ256ELWIG(R)
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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Mémoire Flash NOR haute performance BY25FQ256ELWIG(R) de BYTe Semiconductor
La BY25FQ256ELWIG(R) est une solution de mémoire Flash NOR haute densité et hautes performances de BYTe Semiconductor, conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce composant de 256 Mbits est doté d'une interface Quad SPI avancée avec prise en charge DTR, offrant des performances de lecture exceptionnelles à une fréquence d'horloge de 166 MHz.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : l'organisation de 256 Mbit (32 Mo x 8) offre une capacité de mémoire non volatile suffisante.
- Performances rapides : une fréquence d'horloge de 166 MHz avec un temps d'accès de 5 ns garantit une récupération rapide des données.
- Interface avancée : modes SPI Quad E/S, QPI et DTR pour une communication flexible et à haut débit
- Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 85 °C pour une fiabilité de niveau industriel
- Fonctionnement à basse tension : une tension d’alimentation de 1,65 V à 1,95 V optimise l’efficacité énergétique.
- Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-WSON (5 x 6 mm) permet de gagner de la place sur la carte.
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.
Applications
Idéal pour le stockage de code, l'enregistrement de données, les mises à jour de firmware et le stockage de configuration dans les systèmes embarqués, les appareils IoT, les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels et les équipements de télécommunications.
Composants authentiques avec traçabilité complète
Nous nous approvisionnons en composants BY25FQ256ELWIG(R) auprès de distributeurs agréés, garantissant leur authenticité à 100 % grâce à une documentation complète du fabricant, des fiches techniques et une traçabilité des lots. Chaque unité est livrée avec un certificat et bénéficie de notre garantie qualité et de notre engagement sur toute sa durée de vie.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Semiconducteur BYTe |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 32M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 400 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | 5 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (5x6) |
| RoHS |  |
BY25FQ256ELWIG(R).pdf