BY25FQ256ESEIG(R)

BY25FQ256ESEIG(R) - Mémoire Flash NOR SPI 256 Mbit

Circuit intégré de mémoire Flash NOR 256 Mbit haute performance de BYTe Semiconductor, doté d'une interface SPI à quatre E/S avec prise en charge QPI et DTR. Idéal pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles et de télécommunications exigeant un stockage non volatil fiable, des temps d'accès rapides et une large plage de températures de fonctionnement.

Caractéristiques principales :

• Haute densité : organisation de la mémoire de 256 Mbit (32 Mo x 8).
• Performances rapides : fréquence d’horloge de 166 MHz avec un temps d’accès de 5 ns
• Interface avancée : prise en charge des E/S quadruples SPI, QPI et DTR
• Plage de tension de fonctionnement étendue : de 2,7 V à 3,6 V
• Qualité industrielle : température de fonctionnement de -40 °C à 85 °C
• Boîtier compact : montage en surface 8-WSON (8 x 6 mm)

Applications :

Idéal pour les systèmes embarqués, le stockage de firmware, l'enregistrement de données, les appareils IoT, l'électronique automobile, les contrôleurs industriels et les équipements de télécommunications nécessitant une disponibilité tout au long du cycle de vie et une traçabilité complète du fabricant.

Avantages réservés aux distributeurs agréés :

Nous fournissons des composants BYTe Semiconductor authentiques, accompagnés d'une documentation complète, d'une traçabilité fabricant et d'une livraison internationale via des canaux agréés. Un support technique à long terme garantit la protection de vos programmes d'intégration contre l'obsolescence.

Spécifications complètes :

• BY25FQ256ESEIG(R).pdf