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BY25FQ256ESSIG(R)
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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Mémoire Flash NOR haute performance BYTe BY25FQ256ESSIG(R) - 256 Mbit
La mémoire flash non volatile BY25FQ256ESSIG® de BYTe Semiconductor offre une solution de stockage fiable et rapide pour les applications industrielles, automobiles et de télécommunications exigeantes. Dotée d'une interface SPI quadruple avancée avec prise en charge DTR, elle permet des débits de transfert de données jusqu'à 166 MHz pour un démarrage système et une exécution de code rapides.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : une capacité de 256 Mbits (32 Mo x 8) offre un espace suffisant pour le micrologiciel, les données de configuration et le code applicatif.
- Performances rapides : une fréquence d'horloge de 166 MHz avec un temps d'accès de 5 ns garantit une récupération rapide des données et une réactivité système optimale.
- Interface avancée : les modes SPI Quad I/O, QPI et DTR optimisent le débit et minimisent le nombre de broches.
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V et plage de température de -40 °C à 85 °C pour une fiabilité de niveau industriel
- Programmation efficace : des cycles d’écriture de mots de 100 µs et de pages de 2,4 ms optimisent les opérations de mise à jour
- Encombrement réduit : le boîtier CMS SOIC 8 broches (largeur de 5,30 mm) permet un gain de place précieux sur la carte.
- Conforme à la directive RoHS : une fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales
Applications idéales
Idéal pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage sécurisé du code, des mises à jour du BIOS/firmware, l'enregistrement des données, la gestion de la configuration et le code de démarrage dans les secteurs de l'aérospatiale, des calculateurs automobiles, des contrôleurs industriels, des équipements de réseau et des appareils IoT.
Composants authentiques avec traçabilité complète
Chaque unité BY25FQ256ESSIG(R) est livrée avec la documentation complète du fabricant, garantissant son authenticité et une traçabilité totale. Notre stock chez notre distributeur agréé assure une disponibilité tout au long du cycle de vie et un support technique pour vos conceptions critiques.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Semiconducteur BYTe |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 32M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 100 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | 5 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,209", largeur 5,30 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP |
| RoHS |  |
BY25FQ256ESSIG(R).pdf