BY25FQ32ELSIG(T)

BY25FQ32ELSIG(T) - Circuit intégré de mémoire flash NOR 32 Mbit

Le BY25FQ32ELSIG(T) de BYTe Semiconductor est une mémoire Flash NOR 32 Mbit hautes performances conçue pour les systèmes embarqués exigeant un stockage non volatil et fiable. Grâce à sa faible tension d'alimentation (1,65 V à 2 V) et à son interface SPI Quad E/S haute vitesse (133 MHz), ce circuit intégré de mémoire offre des performances exceptionnelles pour les applications industrielles, automobiles et de télécommunications.

Caractéristiques principales

• Capacité mémoire de 32 Mbit (4 Mo x 8) – Stockage suffisant pour le firmware, les données de configuration et l'exécution du code.
• Interface SPI Quad I/O et QPI - Communication série haut débit à 133 MHz pour un transfert de données rapide
• Fonctionnement à très basse tension - Plage d'alimentation de 1,65 V à 2 V pour les conceptions sensibles à la consommation.
• Plage de températures industrielles - Fonctionnement fiable de -40 °C à 85 °C
• Temps d'accès et d'écriture rapides : accès en 7 ns, écriture par mot en 100 µs, écriture par page en 1,5 ms.
• Boîtier compact 8-SOIC pour montage en surface - Conception compacte pour les circuits imprimés haute densité

Applications

Idéal pour le stockage de la configuration FPGA, le code de démarrage des systèmes embarqués, les appareils IoT, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile et les équipements de télécommunications nécessitant une mémoire non volatile fiable avec un support à long cycle de vie.

Qualité et authenticité

Provenant de distributeurs agréés, avec documentation et traçabilité complètes du fabricant. Conforme à la directive RoHS. Bénéficiez d'un support technique complet et d'une disponibilité garantie à long terme.

Spécifications techniques complètes

• BY25FQ32ELSIG(T).pdf