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BY25FQ32ELSJG(R)
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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BY25FQ32ELSJG(R) - Mémoire Flash NOR SPI 32 Mbit
La BY25FQ32ELSJG(R) est une mémoire Flash SPI NOR haute performance de 32 Mbit (4M x 8) de BYTe Semiconductor, conçue pour les applications nécessitant un stockage non volatil fiable avec une faible consommation d'énergie et des temps d'accès rapides.
Caractéristiques principales
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 133 MHz avec un temps d’accès de 7 ns pour une récupération rapide des données.
- Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V pour des conceptions écoénergétiques
- Interface flexible : prise en charge des E/S quadruples SPI et QPI pour une intégration système polyvalente
- Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à 105 °C pour les applications industrielles et automobiles
- Boîtier compact : boîtier CMS 8 broches SOIC (largeur de 5,30 mm) pour les conceptions à espace restreint
Applications
Idéal pour les systèmes embarqués, les appareils IoT, l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels et toute application nécessitant un stockage de code fiable, l'enregistrement de données ou des mises à jour de firmware.
Assurance qualité
Nous fournissons exclusivement des composants BYTe Semiconductor authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, d'une traçabilité optimale et d'un support technique longue durée. Tous nos produits sont conformes à la directive RoHS et proviennent de distributeurs agréés.
Spécifications techniques
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Semiconducteur BYTe |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 32 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 4M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 100 µs, 1,5 ms |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,209", largeur 5,30 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP |
| RoHS |  |
BY25FQ32ELSJG(R).pdf