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BYTe Semiconductor

BY25FQ32ELTIG(R)

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Quantité
Recycling Electronic Components

Mémoire Flash NOR SPI BY25FQ32ELTIG(R) de 32 Mbits

Mémoire Flash NOR SPI 32 Mbit hautes performances de BYTe Semiconductor, conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce composant authentique est doté d'une interface E/S quadruple avec une fréquence d'horloge de 133 MHz, offrant un stockage non volatil fiable dans un boîtier SOIC 8 broches compact.

Caractéristiques principales

  • Capacité de mémoire de 32 Mbit (4 Mo x 8) – Stockage suffisant pour le firmware, les données de configuration et les applications embarquées
  • Interface SPI Quad I/O et QPI - Transfert de données à haut débit avec interface périphérique série flexible
  • Fréquence d'horloge de 133 MHz - Opérations de lecture/écriture rapides avec un temps d'accès de 7 ns
  • Fonctionnement à basse tension (1,65 V - 2 V) - Conception écoénergétique pour les systèmes alimentés par batterie et à faible consommation.
  • Plage de températures industrielles (-40 °C à 85 °C) - Fiabilité éprouvée dans des environnements d'exploitation difficiles
  • Boîtier SOIC 8 broches à montage en surface - Format compact pour les circuits imprimés haute densité

Applications

Idéal pour le stockage du BIOS, le firmware des systèmes embarqués, l'enregistrement de données, les appareils IoT, les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels et les équipements de télécommunications nécessitant une mémoire non volatile fiable et à longue durée de vie.

Garantie de qualité et d'authenticité

Provenant de distributeurs agréés, chaque unité est livrée avec la documentation complète du fabricant, la traçabilité des lots et la certification de conformité, dans son emballage d'origine BYTe Semiconductor, garantissant ainsi sa qualité.

Spécifications techniques complètes

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Semiconducteur BYTe
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 32 Mbits
Organisation de la mémoire 4M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S, QPI
Fréquence d'horloge 133 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 100 µs, 1,5 ms
Temps d'accès 7 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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