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BYTe Semiconductor

BY25FQ32ELUJG(R)

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25+ €0,86 EUR €21,50 EUR
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Quantité
Recycling Electronic Components

BY25FQ32ELUJG(R) - Mémoire Flash NOR SPI 32 Mbit

Le BY25FQ32ELUJG(R) de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 32 Mbit hautes performances, conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Cette mémoire Flash non volatile offre un stockage de données fiable grâce à sa prise en charge des interfaces Quad I/O et QPI, et fonctionne à des vitesses allant jusqu'à 133 MHz.

Principales caractéristiques et avantages

  • Stockage haute densité : capacité de 32 Mbits organisée en 4 M x 8 pour une gestion flexible des données
  • Performances rapides : fréquence d’horloge de 133 MHz avec un temps d’accès de 7 ns pour une récupération rapide des données.
  • Interface avancée : prise en charge des E/S quadruples SPI et QPI pour un débit amélioré
  • Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V pour des conceptions écoénergétiques
  • Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à 105 °C pour les environnements difficiles
  • Encombrement réduit : Boîtier de montage en surface 8-USON (2 x 3 mm) peu encombrant
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales

Applications idéales

Idéal pour les systèmes embarqués, le stockage de firmware, l'enregistrement de données, les appareils IoT, l'électronique automobile, les contrôleurs industriels et les équipements de télécommunications nécessitant une mémoire non volatile fiable et rapide avec une longue durée de vie.

Avantages des distributeurs agréés

Nous fournissons des composants BYTe Semiconductor authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et d'une garantie. Notre statut de distributeur agréé garantit l'authenticité et la disponibilité des produits tout au long de leur cycle de vie, vous permettant ainsi de soutenir vos programmes critiques et de limiter les risques d'obsolescence.

Spécifications techniques complètes

Besoin d'aide à l'intégration ou de modèles de référence ? Contactez notre équipe technique pour obtenir de l'aide concernant l'application, la planification du cycle de vie et les tarifs dégressifs.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Semiconducteur BYTe
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 32 Mbits
Organisation de la mémoire 4M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S, QPI
Fréquence d'horloge 133 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 100 µs, 1,5 ms
Temps d'accès 7 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 105°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Coussinet exposé 8-UFDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-USON (2x3)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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