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BYTe Semiconductor

BY25FQ32ELWIG(R)

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25+ €0,86 EUR €21,50 EUR
50+ €0,81 EUR €40,50 EUR
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Recycling Electronic Components

BY25FQ32ELWIG(R) - Circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 32 Mbit

Le BY25FQ32ELWIG(R) est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 32 Mbit hautes performances de BYTe Semiconductor, conçu pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil fiable. Ce composant dispose d'interfaces Quad I/O et QPI pour un transfert de données rapide jusqu'à 133 MHz, ce qui le rend idéal pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles et de télécommunications.

Caractéristiques principales :

  • Capacité mémoire de 32 Mbit (4 Mo x 8) – Stockage suffisant pour le firmware, les données de configuration et l'exécution du code.
  • Interface SPI Quad I/O et QPI - Communication série haut débit avec débit amélioré
  • Fréquence d'horloge de 133 MHz - Opérations de lecture/écriture rapides pour les applications critiques en termes de temps.
  • Fonctionnement à basse tension (1,65 V - 2 V) - Conception écoénergétique pour les systèmes alimentés par batterie et à faible consommation.
  • Large plage de températures (-40 °C à 85 °C) - Fiabilité de qualité industrielle pour les environnements difficiles
  • Boîtier compact 8-WSON (5 x 6 mm) - Conception à montage en surface peu encombrante
  • Conforme à la directive RoHS – Respectueux de l’environnement et conforme à la réglementation

Applications :

Cette mémoire Flash NOR est parfaitement adaptée au stockage de la configuration FPGA, au code de démarrage des systèmes embarqués, aux appareils IoT, aux calculateurs automobiles, aux contrôleurs industriels et aux équipements de télécommunications nécessitant une prise en charge à long terme et une authenticité garantie.

Pourquoi choisir la distribution autorisée :

Nous fournissons des composants BY25FQ32ELWIG(R) 100 % authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et d'une disponibilité à long terme. Notre statut de distributeur agréé vous garantit la réception de pièces d'origine, couvertes par la garantie et le support technique de BYTe Semiconductor.

Spécifications techniques complètes :

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Semiconducteur BYTe
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 32 Mbits
Organisation de la mémoire 4M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S, QPI
Fréquence d'horloge 133 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 100 µs, 1,5 ms
Temps d'accès 7 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Plaque exposée 8-WDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-WSON (5x6)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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