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BY25FQ64ELSJG(R)
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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BY25FQ64ELSJG(R) - Mémoire Flash NOR SPI 64 Mbit
La BY25FQ64ELSJG(R) est une mémoire Flash NOR SPI (Serial Peripheral Interface) haute performance de 64 Mbits de BYTe Semiconductor, conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications nécessitant un stockage non volatil fiable.
Caractéristiques principales
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 133 MHz avec un temps d’accès de 7 ns pour une récupération rapide des données.
- Interface flexible : prise en charge des E/S quadruples SPI et QPI pour un débit amélioré
- Fonctionnement à faible consommation : la plage de tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l’efficacité énergétique.
- Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à 105 °C pour les environnements difficiles
- Montage en surface compact : boîtier SOIC 8 broches (largeur de 5,30 mm) pour les conceptions à espace restreint
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement
Applications
Idéal pour les systèmes embarqués, le stockage de firmware, l'enregistrement de données, les appareils IoT, les contrôleurs industriels et l'électronique automobile nécessitant une mémoire non volatile fiable et rapide avec un support à long terme.
Garantie d'origine authentique
Tous les composants proviennent de distributeurs agréés et sont fournis avec la documentation complète du fabricant, une traçabilité totale et un engagement de disponibilité à long terme. Ils sont conditionnés dans leur emballage d'origine en bande et bobine pour les processus d'assemblage automatisés.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Semiconducteur BYTe |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 8M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI |
| Fréquence d'horloge | 133 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 500 µs, 2,5 ms |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,209", largeur 5,30 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP |
| RoHS |  |
BY25FQ64ELSJG(R).pdf