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BYTe Semiconductor

BY25FQ64ELTIG(R)

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25+ €0,86 EUR €21,50 EUR
50+ €0,81 EUR €40,50 EUR
100+ €0,71 EUR €71,00 EUR
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Recycling Electronic Components

BY25FQ64ELTIG(R) - Circuit intégré de mémoire flash NOR 64 Mbit

Le BY25FQ64ELTIG(R) est un circuit intégré de mémoire Flash NOR 64 Mbit hautes performances de BYTe Semiconductor, conçu pour les systèmes embarqués exigeant un stockage non volatil fiable. Ce composant est doté d'une interface Quad SPI avec prise en charge QPI, permettant des débits de transfert de données rapides jusqu'à 133 MHz pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

  • Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 64 Mbits (8 M x 8) offre un espace suffisant pour le stockage du micrologiciel, des données de configuration et du code.
  • Performances rapides : une fréquence d'horloge de 133 MHz avec un temps d'accès de 7 ns garantit une récupération rapide des données.
  • Fonctionnement à basse tension : la plage de tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l’efficacité énergétique pour les conceptions alimentées par batterie et économes en énergie.
  • Interface flexible : les modes SPI Quad I/O et QPI prennent en charge une intégration système polyvalente.
  • Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à +85 °C, adapté aux environnements industriels et automobiles.
  • Encombrement réduit : le boîtier CMS SOIC 8 broches (largeur de 3,90 mm) permet un gain de place précieux sur la carte.

Applications

Idéal pour le stockage de firmware embarqué, le code BIOS/de démarrage, l'enregistrement de données, le stockage de configuration et la duplication de code dans les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les équipements de télécommunications et les appareils IoT.

Garantie du distributeur agréé

Nous fournissons exclusivement des composants authentiques provenant de distributeurs agréés, accompagnés de la documentation complète du fabricant, d'une traçabilité et d'une garantie. Chaque composant est approvisionné via les circuits officiels afin de garantir sa qualité, sa fiabilité et sa disponibilité tout au long de son cycle de vie pour vos applications critiques.

Spécifications techniques complètes

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Semiconducteur BYTe
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 8M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S, QPI
Fréquence d'horloge 133 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 500 µs, 2,5 ms
Temps d'accès 7 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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