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BYTe Semiconductor

BY25FQ64ELTJG(T)

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Recycling Electronic Components

BY25FQ64ELTJG(T) - Circuit intégré de mémoire flash NOR 64 Mbit

Le BY25FQ64ELTJG(T) de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR 64 Mbit hautes performances, conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce composant est doté d'interfaces SPI Quad I/O et QPI avec une fréquence d'horloge maximale de 133 MHz, garantissant un accès aux données rapide et fiable pour les systèmes embarqués.

Principales caractéristiques et avantages

  • Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 64 Mbits (8 M x 8) offre un espace de stockage suffisant pour le micrologiciel, les données de configuration et l’exécution du code.
  • Performances rapides : une fréquence d'horloge de 133 MHz avec un temps d'accès de 7 ns garantit une récupération rapide des données.
  • Fonctionnement à faible consommation : une tension d’alimentation de 1,65 V à 2 V optimise l’efficacité énergétique des appareils alimentés par batterie et des conceptions économes en énergie.
  • Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à 105 °C, compatible avec les environnements industriels et automobiles difficiles.
  • Interface flexible : la prise en charge des E/S quadruples SPI et QPI permet une communication série à haut débit avec un nombre de broches réduit.
  • Boîtier CMS : le boîtier SOIC 8 broches (largeur de 3,90 mm) facilite l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts.

Applications

Idéal pour le stockage du BIOS, le firmware embarqué, le code de démarrage, les données de configuration, l'enregistrement des données et le clonage de code dans les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les équipements de télécommunications et les systèmes aérospatiaux.

Distributeur agréé - Traçabilité complète

Nous fournissons des composants BYTe Semiconductor authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, de garanties d'authenticité et d'une traçabilité intégrale de la chaîne d'approvisionnement. Leur longue durée de vie garantit la pérennité de vos programmes de conception contre l'obsolescence.

Spécifications techniques

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Semiconducteur BYTe
Gamme de produits
Conditionnement Tube | Tube
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 8M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S, QPI
Fréquence d'horloge 133 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 500 µs, 2,5 ms
Temps d'accès 7 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 105°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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