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BYTe Semiconductor

BY25FQ64ESHIG(R)

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25+ €0,86 EUR €21,50 EUR
50+ €0,81 EUR €40,50 EUR
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Recycling Electronic Components

BY25FQ64ESHIG(R) - Circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 64 Mbit

Stock du distributeur agréé | Documentation complète du fabricant | Assistance technique longue durée

Le BY25FQ64ESHIG® de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 64 Mbit hautes performances, conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Doté d'interfaces Quad I/O, QPI et DTR avec une fréquence d'horloge de 166 MHz, ce circuit intégré offre des performances de lecture/écriture exceptionnelles dans un boîtier CMS compact 8 USON (4 x 3 mm).

Principales caractéristiques et avantages

  • Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 64 Mbits (8 M x 8) offre une capacité suffisante pour le micrologiciel, l’enregistrement de données et les applications embarquées.
  • Performances rapides : une fréquence d'horloge de 166 MHz avec un temps d'accès de 5 ns garantit une récupération rapide des données et une réactivité système optimale.
  • Interface flexible : la prise en charge des E/S quadruples SPI, QPI et DTR permet un débit de données optimisé pour votre application spécifique.
  • Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V et plage de température de -40 °C à 85 °C pour une fiabilité optimale en environnements difficiles.
  • Format compact : boîtier CMS 8-USON (4 x 3 mm) avec pastille exposée pour des performances thermiques améliorées
  • Conforme à la norme RoHS : Conception respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications idéales

  • Stockage du micrologiciel du système embarqué et code de démarrage
  • systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation
  • Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
  • Infrastructure de télécommunications et dispositifs de réseau
  • Enregistrement des données et stockage de la configuration
  • Dispositifs IoT et plateformes de calcul en périphérie

Pourquoi choisir notre distributeur agréé ?

  • ✓ Composants BYTe Semiconductor 100 % authentiques avec traçabilité complète
  • ✓ Documentation complète du fabricant et assistance technique
  • ✓ Disponibilité à long terme pour soutenir vos programmes de produits
  • ✓ Livraison internationale via les canaux autorisés
  • ✓ Assistance à la conception et conceptions de référence disponibles

Spécifications techniques complètes

Besoin d'assistance technique ou de tarifs dégressifs ? Contactez notre équipe d'assistance à l'intégration pour obtenir des conseils personnalisés sur l'intégration de ce circuit intégré mémoire dans votre application.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Semiconducteur BYTe
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 8M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S, QPI, DTR
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 300 µs, 2,4 ms
Temps d'accès 5 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Plaque exposée 8-UDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-USON (4x3)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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