BY25FQ64ESHIG(R)
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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BY25FQ64ESHIG(R) - Circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 64 Mbit
Stock du distributeur agréé | Documentation complète du fabricant | Assistance technique longue durée
Le BY25FQ64ESHIG® de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 64 Mbit hautes performances, conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Doté d'interfaces Quad I/O, QPI et DTR avec une fréquence d'horloge de 166 MHz, ce circuit intégré offre des performances de lecture/écriture exceptionnelles dans un boîtier CMS compact 8 USON (4 x 3 mm).
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 64 Mbits (8 M x 8) offre une capacité suffisante pour le micrologiciel, l’enregistrement de données et les applications embarquées.
- Performances rapides : une fréquence d'horloge de 166 MHz avec un temps d'accès de 5 ns garantit une récupération rapide des données et une réactivité système optimale.
- Interface flexible : la prise en charge des E/S quadruples SPI, QPI et DTR permet un débit de données optimisé pour votre application spécifique.
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V et plage de température de -40 °C à 85 °C pour une fiabilité optimale en environnements difficiles.
- Format compact : boîtier CMS 8-USON (4 x 3 mm) avec pastille exposée pour des performances thermiques améliorées
- Conforme à la norme RoHS : Conception respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Applications idéales
- Stockage du micrologiciel du système embarqué et code de démarrage
- systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation
- Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
- Infrastructure de télécommunications et dispositifs de réseau
- Enregistrement des données et stockage de la configuration
- Dispositifs IoT et plateformes de calcul en périphérie
Pourquoi choisir notre distributeur agréé ?
- ✓ Composants BYTe Semiconductor 100 % authentiques avec traçabilité complète
- ✓ Documentation complète du fabricant et assistance technique
- ✓ Disponibilité à long terme pour soutenir vos programmes de produits
- ✓ Livraison internationale via les canaux autorisés
- ✓ Assistance à la conception et conceptions de référence disponibles
Spécifications techniques complètes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Semiconducteur BYTe |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 8M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 300 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | 5 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-UDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-USON (4x3) |
| RoHS |

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