BY25FQ64ESSIG(R)

BY25FQ64ESSIG(R) - Mémoire Flash NOR SPI 64 Mbit

Le BY25FQ64ESSIG® de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 64 Mbit hautes performances, conçu pour les applications embarquées exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Cette solution de mémoire non volatile offre un stockage de données fiable, des temps d'accès rapides et une large plage de températures de fonctionnement.

Caractéristiques principales

• Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 166 MHz avec un temps d’accès de 5 ns pour une récupération rapide des données.
• Interface flexible : prise en charge des E/S quadruples SPI, QPI et DTR pour une intégration système polyvalente.
• Qualité industrielle : plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
• Boîtier compact : boîtier CMS 8 broches SOIC (largeur de 5,30 mm) pour les conceptions à espace restreint
• Large plage de tension : compatibilité avec les tensions d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme à la réglementation.

Applications

Idéal pour le stockage de code, l'enregistrement de données, les mises à jour de firmware et le stockage de configuration dans les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les appareils IoT et les équipements de télécommunications.

Avantages réservés aux distributeurs agréés

Nous fournissons des produits BYTe Semiconductor 100% authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, de certificats de traçabilité et d'une disponibilité à long terme pour soutenir vos programmes critiques et atténuer les risques d'obsolescence.

Spécifications techniques complètes

• BY25FQ64ESSIG(R).pdf