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BYTe Semiconductor

BY25FQ64ESSIG(T)

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Recycling Electronic Components

BY25FQ64ESSIG(T) - Circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 64 Mbit

La mémoire flash NOR SPI BY25FQ64ESSIG(T) de BYTe Semiconductor est un composant haute performance de 64 Mbits, conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce composant authentique prend en charge les E/S quadruples, le protocole QPI et le DTR, avec une fréquence d'horloge maximale de 166 MHz, offrant des performances de lecture/écriture rapides dans un boîtier CMS 8 broches SOIC compact.

Principales caractéristiques et avantages

  • Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 64 Mbits (8 M x 8) offre un espace de stockage non volatil suffisant pour le micrologiciel, les données de configuration et le code applicatif.
  • Performances rapides : une fréquence d'horloge de 166 MHz avec un temps d'accès de 5 ns garantit une récupération rapide des données et une réactivité système optimale.
  • Interface avancée : les modes SPI Quad I/O, QPI et DTR permettent une intégration flexible et un transfert de données à haut débit.
  • Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V et plage de température de -40 °C à 85 °C, compatible avec divers environnements industriels.
  • Cycles d'écriture fiables : des temps de cycle d'écriture de 300 µs par mot et de 2,4 ms par page garantissent des opérations de programmation efficaces.
  • Encombrement réduit : le boîtier CMS 8-SOIC (largeur de 5,30 mm) optimise l'utilisation de l'espace sur la carte.

Applications

Idéal pour le stockage de la configuration FPGA, le firmware des systèmes embarqués, les systèmes de contrôle industriels, l'électronique automobile, les équipements de télécommunications et toute application nécessitant une mémoire non volatile fiable et rapide avec un support à long terme.

Authenticité et traçabilité

Nous nous approvisionnons en composants directement auprès de distributeurs agréés, avec documentation complète du fabricant et traçabilité. Chaque unité BY25FQ64ESSIG(T) est accompagnée de fiches techniques complètes, de certificats de conformité et d'un numéro de lot afin de garantir l'intégrité du produit et de répondre à vos exigences en matière d'assurance qualité.

Spécifications techniques complètes

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Semiconducteur BYTe
Gamme de produits
Conditionnement Tube | Tube
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 8M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S, QPI, DTR
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 300 µs, 2,4 ms
Temps d'accès 5 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,209", largeur 5,30 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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