Passer aux informations produits
1 de 1

BYTe Semiconductor

BY25FQ64ESTIG(R)

Prix habituel €0,95
Prix habituel Prix promotionnel €0,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €0,95 EUR €0,95 EUR
15+ €0,87 EUR €13,05 EUR
25+ €0,86 EUR €21,50 EUR
50+ €0,81 EUR €40,50 EUR
100+ €0,71 EUR €71,00 EUR
N+ €0,14 EUR Price Inquiry
Frais d'expédition calculés à l'étape de paiement.
Quantité
Recycling Electronic Components

BY25FQ64ESTIG(R) - Mémoire Flash NOR SPI 64 Mbit

La BY25FQ64ESTIG(R) est une mémoire Flash NOR série haute performance de 64 Mbit (8M x 8) de BYTe Semiconductor, conçue pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes nécessitant un stockage non volatil fiable avec des performances de lecture/écriture rapides.

Caractéristiques principales

  • Interface haut débit : prise en charge des E/S quadruples SPI, QPI et DTR avec une fréquence d’horloge de 166 MHz pour un accès rapide aux données
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
  • Performances rapides : temps d’accès de 5 ns avec des cycles d’écriture de mots de 300 µs et de pages de 2,4 ms.
  • Large plage de tension : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour une intégration système flexible
  • Montage en surface compact : Boîtier SOIC 8 broches peu encombrant (largeur de 3,90 mm)
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales

Applications

Idéal pour le stockage du BIOS/firmware, la duplication de code, l'enregistrement de données, le stockage de configuration dans les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les appareils IoT et les systèmes embarqués nécessitant une conservation des données à long terme.

Pourquoi choisir des stocks autorisés ?

Nous fournissons exclusivement des composants BYTe Semiconductor authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, d'une traçabilité optimale et d'un support technique étendu. Chaque unité est livrée dans son emballage d'origine en bande et bobine, avec les fiches techniques complètes et les certificats de conformité.

Spécifications techniques complètes

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Semiconducteur BYTe
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 64 Mbits
Organisation de la mémoire 8M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S, QPI, DTR
Fréquence d'horloge 166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 300 µs, 2,4 ms
Temps d'accès 5 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

Demande de devis : Veuillez remplir tous les champs obligatoires avec vos coordonnées. Cliquez sur « ENVOYER », nous vous contacterons rapidement par courriel. Ou envoyez-nous un courriel à : sales@hqickey.com .