BY25FQM1GESFIG(T)

Mémoire flash NOR 1 Gbit - Haute performance, qualité industrielle

Le BY25FQM1GESFIG(T) est un circuit intégré de mémoire Flash NOR haute densité de 1 Gbit de BYTe Semiconductor, conçu pour les applications industrielles, automobiles et de télécommunications exigeantes. Ce composant à montage en surface est doté d'une interface Quad SPI avancée avec prise en charge DTR, offrant des performances de lecture/écriture exceptionnelles à une fréquence d'horloge de 133 MHz.

Principales caractéristiques et avantages

• Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 1 Gbit (128 Mo x 8) offre une capacité suffisante pour le stockage du micrologiciel, des données et du code.
• Interface rapide : l'interface SPI à quatre E/S avec modes QPI et DTR permet un transfert de données rapide à 133 MHz.
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
• Temps d'accès réduit : un temps d'accès de 7 ns garantit des performances système réactives.
• Alimentation flexible : sa large plage de tension (2,7 V à 3,6 V) simplifie l’intégration.
• Boîtier compact : le boîtier CMS 16 broches SOIC (largeur de 7,50 mm) permet un gain de place sur la carte.
• Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb

Applications idéales

Idéal pour le stockage de la configuration FPGA, le firmware des systèmes embarqués, les systèmes de contrôle industriels, l'électronique automobile, les équipements de télécommunications et les appareils IoT nécessitant une mémoire non volatile à fiabilité à long terme.

Spécifications techniques complètes

Authenticité garantie : tous nos produits proviennent directement de distributeurs agréés et sont accompagnés de la documentation complète du fabricant et d’une traçabilité intégrale. Notre engagement sur le long terme assure la disponibilité de vos conceptions critiques.

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