BY25FQM512ESEIG(R)

Mémoire Flash NOR haute performance BYTe Semiconductor BY25FQM512ESEIG(R) - 512 Mbit

La BY25FQM512ESEIG(R) est une solution de mémoire Flash NOR haute densité et hautes performances de BYTe Semiconductor, conçue pour les applications industrielles, automobiles et de télécommunications exigeantes. Ce circuit intégré Flash de 512 Mbits (64 Mo x 8) est doté d'une interface SPI quadruple avancée avec prise en charge DTR, offrant des performances de lecture/écriture exceptionnelles à une fréquence d'horloge de 166 MHz.

Principales caractéristiques et avantages :

• Stockage haute densité : capacité de 512 Mbits organisée en 64 Mbits x 8, idéale pour le stockage de code et l’enregistrement de données.
• Performances rapides : fréquence d’horloge de 166 MHz avec un temps d’accès de 5 ns pour une récupération rapide des données.
• Interface avancée : modes SPI Quad I/O, QPI et DTR pour une intégration flexible
• Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V, plage de température de -40 °C à 85 °C
• Boîtier compact : Boîtier de montage en surface 8-WSON (8 x 6 mm) peu encombrant
• Qualité industrielle : performances fiables pour les applications critiques

Applications :

Idéal pour la configuration FPGA, les systèmes embarqués, les appareils IoT, l'électronique automobile, les contrôleurs industriels et les équipements de télécommunications nécessitant un stockage de mémoire non volatile fiable.

Authenticité garantie :

Tous les appareils proviennent de distributeurs agréés et sont accompagnés de la documentation complète du fabricant et d'une traçabilité intégrale. Conformes à la directive RoHS pour le respect de l'environnement.

• BY25FQM512ESEIG(R).pdf