BY25FQM512ESFIG(T)

BY25FQM512ESFIG(T) - Circuit intégré de mémoire flash NOR 512 Mbit

Le BY25FQM512ESFIG(T) de BYTe Semiconductor est une solution de mémoire Flash NOR 512 Mbit hautes performances conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire non volatile est doté d'une interface SPI Quad E/S compatible QPI et DTR, offrant un stockage de données fiable avec des temps d'accès rapides et une large plage de températures de fonctionnement.

Caractéristiques principales :

• Stockage haute densité : organisation de la mémoire de 512 Mbits (64 M x 8).
• Performances rapides : fréquence d’horloge de 166 MHz avec un temps d’accès de 5 ns
• Interface flexible : prise en charge des E/S quadruples SPI, QPI et DTR
• Plage de tension de fonctionnement étendue : de 2,7 V à 3,6 V
• Plage de température industrielle : -40 °C à 85 °C
• Boîtier compact : boîtier CMS 16 broches SOIC
• Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement

Applications :

Idéal pour le stockage de code, l'enregistrement de données, les mises à jour de firmware et le stockage de configuration dans les systèmes embarqués nécessitant une conservation des données à long terme et une fiabilité élevée.

Assurance qualité:

Tous les produits proviennent de distributeurs agréés et sont accompagnés de la documentation complète du fabricant, d'une traçabilité totale et d'un support technique à long terme. Chaque composant est vérifié et bénéficie d'une assistance technique complète.

Spécifications techniques complètes :

• BY25FQM512ESFIG(T).pdf