BY25FQM512ESWIG(R)
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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BY25FQM512ESWIG(R) - Mémoire Flash NOR Quad SPI haute performance de 512 Mbit
La mémoire flash non volatile BY25FQM512ESWIG® de BYTe Semiconductor offre une solution de stockage fiable et rapide pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Dotée d'une interface SPI quadruple avec prise en charge DTR, elle permet des débits de transfert de données jusqu'à 166 MHz pour les systèmes critiques nécessitant des temps de démarrage et d'exécution de code rapides.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité mémoire de 512 Mbit (64 Mo x 8) : espace de stockage suffisant pour le firmware, le code de démarrage et les données de configuration.
- Interface SPI à quatre E/S avec QPI et DTR : interface haut débit prenant en charge une fréquence d’horloge de 166 MHz pour un accès rapide aux données
- Temps d'accès ultra-rapide : un temps d'accès de 5 ns garantit une latence minimale pour les opérations critiques en temps réel.
- Large plage de températures de fonctionnement : -40 °C à 85 °C (TA) pour les environnements industriels et automobiles
- Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
- Boîtier compact pour montage en surface : 8-WSON (5 x 6 mm) avec pastille exposée pour des performances thermiques supérieures
- Conforme à la directive RoHS : une fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales
Applications
Idéal pour le stockage de la configuration FPGA, le code de démarrage des systèmes embarqués, le firmware des calculateurs automobiles, les systèmes de contrôle industriels, les équipements de télécommunications et toute application nécessitant une mémoire non volatile fiable et rapide avec un fonctionnement à température étendue.
Garantie de qualité et d'authenticité
Provenant de distributeurs agréés, chaque unité est livrée avec une documentation complète du fabricant, une traçabilité totale et un support technique à long terme. Chaque emballage scellé en usine (bande et bobine) garantit l'authenticité et la fiabilité de vos conceptions critiques.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Semiconducteur BYTe |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 64M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 100 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | 5 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (5x6) |
| RoHS |

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