BY25Q05AWOIG(R)

BY25Q05AWOIG(R) - Mémoire Flash NOR SPI 512 Kbits

Le BY25Q05AWOIG(R) de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR 512 kbits hautes performances doté d'une interface SPI quadruple pour des transferts de données rapides jusqu'à 85 MHz. Avec une large plage de tension d'alimentation de 1,65 V à 3,6 V et une plage de températures de fonctionnement industrielle de -40 °C à 85 °C, cette solution de mémoire est idéale pour les systèmes embarqués, les objets connectés, les applications automobiles et les systèmes de contrôle industriels nécessitant un stockage non volatil fiable.

Caractéristiques principales :

• Mémoire Flash NOR 512 Kbits (64 Ko x 8) - Stockage non volatil fiable pour le firmware et les données
• Interface SPI quadruple - Interface périphérique série haute vitesse avec une fréquence d'horloge de 85 MHz
• Fonctionnement sur une large plage de tension – alimentation de 1,65 V à 3,6 V pour une intégration système flexible
• Qualité de température industrielle - Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C
• Temps d'accès rapide : 6 ns pour un cycle d'écriture de page de 3 ms.
• Boîtier compact 8-TSSOP - Conception à montage en surface peu encombrante

Applications :

Ce circuit intégré de mémoire est parfaitement adapté au stockage du firmware, au code de démarrage, aux données de configuration et à l'enregistrement des données dans les systèmes aérospatiaux, l'électronique automobile, l'automatisation industrielle, les équipements de télécommunications et les dispositifs IoT périphériques nécessitant une prise en charge à long terme.

Spécifications techniques complètes :

Distributeur agréé : Nous fournissons des composants BYTe Semiconductor authentiques avec une documentation complète du fabricant, une traçabilité et une disponibilité à long terme pour soutenir vos programmes critiques.

• BY25Q05AWOIG(R).pdf