BY25Q05AWOIG(T)

BY25Q05AWOIG(T) - Circuit intégré de mémoire flash NOR SPI 512 kbits

Le BY25Q05AWOIG(T) de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 512 Kbits (64 K x 8) hautes performances, conçu pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil fiable. Doté d'une interface SPI à quatre E/S avec une fréquence d'horloge de 85 MHz et une large plage de tension d'alimentation (1,65 V à 3,6 V), ce circuit intégré offre un temps d'accès rapide de 6 ns et supporte une plage de températures industrielles de -40 °C à 85 °C.

Caractéristiques principales :

• Capacité de mémoire flash NOR de 512 Kbits (64 K x 8).
• Interface d'E/S quadruple SPI pour transfert de données à haut débit
• Fréquence d'horloge maximale de 85 MHz
• Large plage de tension : de 1,65 V à 3,6 V pour une intégration système flexible
• Temps d'accès rapide de 6 ns pour des performances réactives
• Plage de températures industrielles : -40 °C à 85 °C (TA)
• Boîtier compact à montage en surface 8-TSSOP
• Temps de cycle d'écriture page/mot de 3 ms

Applications : Idéal pour l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, les équipements de télécommunications, les appareils IoT, le stockage de firmware, le code de démarrage et les données de configuration dans les applications embarquées nécessitant une prise en charge à long terme.

Distributeur agréé : Nous fournissons des composants BYTe Semiconductor authentiques, accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et d’une garantie. Tous les composants sont expédiés depuis notre stock agréé et bénéficient d’une assurance qualité.

Spécifications techniques complètes

• BY25Q05AWOIG(T).pdf