BY25Q05AWTIG(R)
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
Impossible de charger la disponibilité du service de retrait
BY25Q05AWTIG(R) - Mémoire Flash NOR SPI 512 Kbits
Le BY25Q05AWTIG® de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 512 kbits hautes performances, conçu pour les systèmes embarqués exigeant un stockage non volatil fiable. Doté d'une interface SPI à quatre E/S, d'une fréquence d'horloge de 85 MHz et d'une large plage de tension de fonctionnement (1,65 V à 3,6 V), ce circuit intégré offre des temps d'accès rapides et une faible consommation d'énergie pour les applications industrielles, automobiles et de télécommunications.
Caractéristiques principales :
- Mémoire flash NOR 512 Kbits (64 K x 8) - Stockage de mémoire non volatile fiable
- Interface d'E/S quadruple SPI - Communication série haute vitesse à 85 MHz
- Large plage de tension d'alimentation (1,65 V à 3,6 V) pour une intégration système flexible.
- Plage de températures industrielles - Fonctionnement prévu de -40 °C à 85 °C
- Temps d'accès rapide : 6 ns pour des performances optimales.
- Boîtier SOIC 8 broches pour montage en surface - Encombrement réduit de 3,90 mm.
Applications :
Idéal pour le stockage du BIOS, les mises à jour du firmware, les données de configuration, le code de démarrage et le stockage des paramètres dans les secteurs de l'aérospatiale, des calculateurs automobiles, des contrôleurs industriels et des équipements de télécommunications.
Avantages réservés aux distributeurs agréés :
Nous fournissons des composants BYTe Semiconductor authentiques avec une documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et une disponibilité à long terme pour soutenir vos programmes critiques et atténuer les risques d'obsolescence.
Spécifications techniques complètes :
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Semiconducteur BYTe |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 512 kbits |
| Organisation de la mémoire | 64K x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 85 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 3 ms, 3 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP |
| RoHS |

BY25Q05AWTIG(R).pdf