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BYTe Semiconductor

BY25Q05AWTIG(T)

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Recycling Electronic Components

BY25Q05AWTIG(T) - Circuit intégré de mémoire flash NOR SPI 512 kbits

Le BY25Q05AWTIG(T) de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 512 kbits hautes performances, conçu pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage non volatil fiable. Doté d'une interface SPI à quatre E/S, d'une fréquence d'horloge de 85 MHz et d'une large plage de tension de fonctionnement (1,65 V à 3,6 V), ce circuit de mémoire est idéal pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles et de télécommunications.

Caractéristiques principales :

  • Mémoire Flash NOR 512 Kbits (64 Ko x 8) - Stockage non volatil fiable pour les données critiques
  • Interface SPI Quad E/S - Transfert de données à haut débit à une fréquence d'horloge de 85 MHz
  • Large plage de tension (1,65 V - 3,6 V) - Compatibilité avec une alimentation flexible
  • Plage de températures industrielles (-40 °C à 85 °C) - Fiabilité éprouvée en environnements difficiles
  • Temps d'accès rapide (6 ns) - Optimisé pour les applications critiques en termes de performances
  • Boîtier SOIC 8 broches à montage en surface - Conception compacte pour des circuits imprimés compacts

Applications :

Ce circuit intégré de mémoire Flash NOR est parfaitement adapté au stockage du firmware, du code de démarrage, des données de configuration et à l'enregistrement des données dans les systèmes embarqués des secteurs de l'aérospatiale, des calculateurs automobiles, des contrôleurs industriels et des équipements de télécommunications.

Avantages réservés aux distributeurs agréés :

Nous fournissons des composants BYTe Semiconductor authentiques avec une documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et une disponibilité à long terme pour soutenir vos programmes d'intégration et atténuer les risques d'obsolescence.

Spécifications techniques complètes :

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Semiconducteur BYTe
Gamme de produits
Conditionnement Tube | Tube
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 512 kbits
Organisation de la mémoire 64K x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S
Fréquence d'horloge 85 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 3 ms, 3 ms
Temps d'accès 6 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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