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BYTe Semiconductor

BY25Q05AWUIG(R)

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Quantité
Recycling Electronic Components

BY25Q05AWUIG(R) - Mémoire Flash NOR SPI 512 Kbits

Le BY25Q05AWUIG(R) de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 512 kbits hautes performances, conçu pour les systèmes embarqués exigeant un stockage non volatil fiable. Doté d'une interface SPI à quatre E/S avec une fréquence d'horloge de 85 MHz et une large plage de tension de fonctionnement (1,65 V à 3,6 V), ce circuit intégré offre des temps d'accès rapides et une faible consommation d'énergie pour les applications industrielles, automobiles et de télécommunications.

Caractéristiques principales :

  • Capacité Flash de 512 Kbits (64 K x 8) – Idéale pour le stockage de firmware, de données de configuration et de code.
  • Interface SPI Quad E/S - Débit amélioré avec prise en charge d'une horloge de 85 MHz
  • Large plage de tension (1,65 V - 3,6 V) - Compatible avec de multiples architectures système
  • Plage de températures industrielles (-40 °C à 85 °C) - Fonctionnement fiable en environnements difficiles
  • Boîtier compact 8 USON (2 x 3 mm) - Conception à montage en surface peu encombrante
  • Temps d'accès rapide (6 ns) - Optimisé pour les applications critiques en termes de performances

Applications :

Idéal pour le stockage BIOS, les firmwares embarqués, les appareils IoT, les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles et les équipements de télécommunications nécessitant une disponibilité tout au long du cycle de vie et une traçabilité complète du fabricant.

Spécifications techniques complètes :

Distributeur agréé : Tous nos produits sont livrés avec la documentation complète du fabricant, les certificats de traçabilité et bénéficient d’un support technique à long terme. Contactez-nous pour connaître nos tarifs dégressifs, nos modèles de référence et notre assistance technique.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Semiconducteur BYTe
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 512 kbits
Organisation de la mémoire 64K x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S
Fréquence d'horloge 85 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 3 ms, 3 ms
Temps d'accès 6 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Coussinet exposé 8-UFDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-USON (2x3)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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