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BY25Q10AWTIG(T)
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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BY25Q10AWTIG(T) - Circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 1 Mbit
Le BY25Q10AWTIG(T) de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 1 Mbit hautes performances, conçu pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de données fiable et non volatil. Grâce à sa large plage de tension d'alimentation (1,65 V à 3,6 V) et à sa plage de températures de fonctionnement (-40 °C à 85 °C), ce composant est idéal pour les applications aérospatiales, automobiles, de contrôle industriel et de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 85 MHz avec un temps d’accès de 6 ns pour une récupération rapide des données.
- Interface SPI à quatre E/S : débit amélioré pour les applications exigeantes
- Large plage de tension : fonctionnement de 1,65 V à 3,6 V, compatible avec diverses architectures système.
- Plage de températures industrielles : -40 °C à 85 °C (TA) garantissant un fonctionnement fiable dans des environnements difficiles
- Boîtier SOIC 8 broches compact : conception de montage en surface peu encombrante (largeur de 3,90 mm)
- Organisation 128K x 8 : Architecture mémoire flexible pour une gestion efficace des données
- Cycles d'écriture rapides : temps d'écriture de 3 ms par page et par mot
Applications
Cette mémoire Flash NOR est parfaitement adaptée au stockage du firmware, du code de démarrage, des données de configuration et à l'enregistrement des données dans les systèmes critiques. Sa longue durée de vie et sa traçabilité complète par le fabricant en font un excellent choix pour les programmes nécessitant un support étendu et une gestion optimale de l'obsolescence.
Avantages des distributeurs agréés
Nous fournissons des composants BYTe Semiconductor authentiques, accompagnés d'une documentation complète, d'une traçabilité fabricant et d'une assistance à l'intégration. Notre réseau de distribution mondial garantit une livraison rapide et une authenticité totale.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Semiconducteur BYTe |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Tube | Tube |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 85 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 3 ms, 3 ms |
| Temps d'accès | 6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOP |
| RoHS |  |
BY25Q10AWTIG(T).pdf