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BYTe Semiconductor

BY25Q128ASSIG(R)

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50+ €0,81 EUR €40,50 EUR
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Recycling Electronic Components

BY25Q128ASSIG(R) - Mémoire Flash NOR SPI haute performance de 128 Mbit

La BY25Q128ASSIG® est une solution de mémoire Flash NOR SPI (Serial Peripheral Interface) de 128 Mbits de pointe, conçue par BYTe Semiconductor pour les applications exigeantes nécessitant un stockage non volatil fiable et rapide. Cette puce de mémoire Flash avancée offre des performances exceptionnelles grâce à son interface E/S quadruple et sa fréquence d'horloge de 108 MHz, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués, les objets connectés, les équipements industriels et l'électronique grand public.

Principales caractéristiques et avantages

  • Grande capacité de stockage : l’organisation de la mémoire de 128 Mbits (16 Mo x 8) offre un espace suffisant pour le micrologiciel, l’enregistrement des données et le code applicatif.
  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 108 MHz et une interface d'E/S quadruple SPI garantissent un accès et un transfert de données rapides.
  • Opérations d'écriture rapides : des temps de cycle d'écriture de 50 µs pour les mots et de 2,4 ms pour les pages optimisent les performances du système.
  • Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 7 ns permet un fonctionnement réactif du système.
  • Large plage de tension : la tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V offre des options d’intégration flexibles.
  • Plage de températures industrielles : la température de fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit la fiabilité dans des environnements difficiles.
  • Boîtier compact pour montage en surface : son format 8-SOIC (0,209 pouce, largeur 5,30 mm) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales

Spécifications techniques

Applications

Le BY25Q128ASSIG(R) est parfaitement adapté à une large gamme d'applications, notamment :

  • Systèmes embarqués et conceptions à base de microcontrôleurs
  • Dispositifs IoT (Internet des objets) et capteurs intelligents
  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • appareils électroniques grand public et appareils portables
  • Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
  • Équipements de réseau et de télécommunications
  • Dispositifs et instruments médicaux
  • Solutions d'enregistrement et de stockage de données

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Semiconducteur BYTe
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 16M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S
Fréquence d'horloge 108 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 50 µs, 2,4 ms
Temps d'accès 7 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,209", largeur 5,30 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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