BY25Q128ASWIG(R)

BY25Q128ASWIG(R) - Mémoire Flash NOR SPI haute performance de 128 Mbit

Le BY25Q128ASWIG(R) est un circuit intégré de mémoire Flash NOR 128 Mbit (16 Mo x 8) haute fiabilité de BYTe Semiconductor , conçu pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes. Cette solution de mémoire Flash avancée offre des performances exceptionnelles grâce à sa prise en charge de l'interface SPI Quad E/S, permettant des taux de transfert de données rapides jusqu'à une fréquence d'horloge de 108 MHz.

Principales caractéristiques et avantages

• Grande capacité de mémoire : 128 Mbits (16 Mo) de stockage pour le micrologiciel, les données de configuration et l’exécution du code.
• Interface haut débit : E/S SPI/Quad avec une fréquence d'horloge de 108 MHz pour un accès rapide aux données
• Performances d'écriture rapides : écriture d'un mot en 50 µs, temps de cycle d'écriture d'une page en 2,4 ms
• Temps d'accès rapide : 7 ns pour des performances système optimales.
• Large plage de tension : fonctionnement de 2,7 V à 3,6 V pour une conception d’alimentation flexible
• Plage de températures industrielles : -40 °C à 85 °C (TA) pour une fiabilité en environnement difficile
• Boîtier compact : montage en surface 8-WDFN/8-WSON (5 x 6 mm) avec pastille exposée pour des performances thermiques supérieures.
• Conforme à la directive RoHS : fabrication respectueuse de l’environnement et sans plomb

Applications idéales

Idéal pour le stockage du BIOS, les firmwares embarqués, les appareils IoT, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les équipements médicaux, l'infrastructure de télécommunications et l'électronique grand public nécessitant une mémoire non volatile à haute endurance et rétention des données.

Spécifications techniques

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