BY25Q16AWSIG(R)

BY25Q16AWSIG(R) - Circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit

Le BY25Q16AWSIG(R) est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit hautes performances de BYTe Semiconductor, conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce composant authentique offre une large plage de tension de fonctionnement (1,65 V à 3,6 V), une interface SPI à quatre E/S et une plage de températures industrielles (-40 °C à 85 °C).

Principales caractéristiques et avantages

• Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 100 MHz avec un temps d’accès de 7 ns pour une récupération rapide des données.
• Alimentation flexible : sa large plage de tension (1,65 V à 3,6 V) prend en charge diverses architectures système.
• E/S améliorées : l’interface d’E/S quadruple SPI permet un débit de données plus rapide.
• Qualité industrielle : température de fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
• Stockage fiable : mémoire flash NOR de 16 Mbits (2 Mo x 8) avec un temps de cycle d’écriture de 3 ms.
• Gain de place : Boîtier compact 8-SOIC pour montage en surface (largeur de 5,30 mm)

Applications

Idéal pour le stockage de firmware, de code de démarrage, de données de configuration et pour les applications de systèmes embarqués nécessitant une mémoire non volatile avec un accès en lecture rapide et une fiabilité à long terme.

Authenticité garantie

Provenant de distributeurs agréés, chaque unité est accompagnée de sa documentation et de sa traçabilité complètes, ainsi que de fiches techniques détaillées et de certificats de conformité pour les applications critiques.

Spécifications techniques complètes

• BY25Q16AWSIG(R).pdf