BY25Q16ESEIG(R)
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €0,95 EUR | €0,95 EUR |
| 15+ | €0,87 EUR | €13,05 EUR |
| 25+ | €0,86 EUR | €21,50 EUR |
| 50+ | €0,81 EUR | €40,50 EUR |
| 100+ | €0,71 EUR | €71,00 EUR |
| N+ | €0,14 EUR | Price Inquiry |
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BY25Q16ESEIG(R) - Mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit hautes performances
La mémoire flash NOR BY25Q16ESEIG® de BYTe Semiconductor est un dispositif de 16 Mbits haute densité et basse consommation doté d'interfaces SPI Quad I/O et QPI avancées. Conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications, elle offre un stockage non volatil fiable aux performances exceptionnelles.
Principales caractéristiques et avantages
- Fonctionnement à haute vitesse : fréquence d’horloge de 108 MHz avec un temps d’accès de 7 ns pour une récupération rapide des données.
- Interface flexible : prise en charge des E/S quadruples SPI et QPI pour une intégration système polyvalente
- Large plage de fonctionnement : plage de température de -40 °C à 85 °C avec une tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V
- Format compact : Boîtier CMS 8-WSON (8x6) avec pastille exposée pour des performances thermiques améliorées
- Approvisionnement authentique : Produit BYTe Semiconductor authentique avec documentation et traçabilité complètes du fabricant
Spécifications techniques
Applications
Idéal pour les systèmes embarqués exigeant un stockage non volatil fiable, notamment les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les équipements de télécommunications et les systèmes aérospatiaux. Sa large plage de températures de fonctionnement et sa conception robuste le rendent adapté aux applications critiques.
Garantie de qualité et d'authenticité
Tous les composants proviennent directement de distributeurs agréés et sont accompagnés de la documentation complète du fabricant, garantissant ainsi l'authenticité des produits et leur disponibilité à long terme pour répondre à vos besoins d'intégration.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Semiconducteur BYTe |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 16 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 2M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI |
| Fréquence d'horloge | 108 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 50 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (8x6) |
| RoHS |

BY25Q16ESEIG(R).pdf