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BYTe Semiconductor

BY25Q16ESEIG(R)

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25+ €0,86 EUR €21,50 EUR
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100+ €0,71 EUR €71,00 EUR
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Quantité
Recycling Electronic Components

BY25Q16ESEIG(R) - Mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit hautes performances

La mémoire flash NOR BY25Q16ESEIG® de BYTe Semiconductor est un dispositif de 16 Mbits haute densité et basse consommation doté d'interfaces SPI Quad I/O et QPI avancées. Conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications, elle offre un stockage non volatil fiable aux performances exceptionnelles.

Principales caractéristiques et avantages

  • Fonctionnement à haute vitesse : fréquence d’horloge de 108 MHz avec un temps d’accès de 7 ns pour une récupération rapide des données.
  • Interface flexible : prise en charge des E/S quadruples SPI et QPI pour une intégration système polyvalente
  • Large plage de fonctionnement : plage de température de -40 °C à 85 °C avec une tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V
  • Format compact : Boîtier CMS 8-WSON (8x6) avec pastille exposée pour des performances thermiques améliorées
  • Approvisionnement authentique : Produit BYTe Semiconductor authentique avec documentation et traçabilité complètes du fabricant

Spécifications techniques

Applications

Idéal pour les systèmes embarqués exigeant un stockage non volatil fiable, notamment les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les équipements de télécommunications et les systèmes aérospatiaux. Sa large plage de températures de fonctionnement et sa conception robuste le rendent adapté aux applications critiques.

Garantie de qualité et d'authenticité

Tous les composants proviennent directement de distributeurs agréés et sont accompagnés de la documentation complète du fabricant, garantissant ainsi l'authenticité des produits et leur disponibilité à long terme pour répondre à vos besoins d'intégration.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Semiconducteur BYTe
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 16 Mbits
Organisation de la mémoire 2M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S, QPI
Fréquence d'horloge 108 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 50 µs, 2,4 ms
Temps d'accès 7 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Plaque exposée 8-WDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-WSON (8x6)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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