BY25Q16ESWIG(R)

BY25Q16ESWIG(R) - Mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit

Le BY25Q16ESWIG(R) est un circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 16 Mbit hautes performances de BYTe Semiconductor, conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce composant authentique est doté d'interfaces Quad I/O et QPI pour un transfert de données rapide à 108 MHz et fonctionne de manière fiable sur une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C.

Caractéristiques principales :

• Capacité de mémoire flash NOR de 16 Mbit (2 Mo x 8)
• Interface SPI Quad E/S et QPI pour un fonctionnement à haute vitesse
• Fréquence d'horloge de 108 MHz avec un temps d'accès de 7 ns
• Large plage de tension : 2,7 V à 3,6 V
• Plage de température étendue : -40 °C à 85 °C (TA)
• Boîtier compact 8-WSON (5x6) pour montage en surface
• Conforme à la directive RoHS

Applications : Systèmes embarqués, stockage de micrologiciels, enregistrement de données, dispositifs IoT, contrôleurs industriels, électronique automobile et équipements de télécommunications.

Authenticité garantie : provenant de distributeurs agréés, avec documentation complète du fabricant et traçabilité assurée. Chaque unité est livrée en emballage standard sur bande et bobine pour une intégration facile à votre chaîne d’approvisionnement existante.

Spécifications techniques complètes

• BY25Q16ESWIG(R).pdf