BY25Q20AWTIG(R)

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Quantity	Unit Price	Total Price
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15+	€0,87 EUR	€13,05 EUR
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BY25Q20AWTIG(R) - Circuit intégré de mémoire Flash NOR SPI 2 Mbit

Le BY25Q20AWTIG® de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR 2 Mbit hautes performances doté d'une interface SPI Quad E/S et fonctionnant sur une large plage de tensions (1,65 V à 3,6 V). Il est idéal pour les systèmes embarqués, les objets connectés et les applications industrielles nécessitant un stockage non volatil fiable, des temps d'accès rapides et une plage de températures étendue.

Caractéristiques principales :

Capacité de mémoire de 2 Mbit (256 Ko x 8).
Interface SPI Quad E/S pour transfert de données à haut débit jusqu'à 120 MHz
Large plage de tension de fonctionnement : de 1,65 V à 3,6 V
Plage de température industrielle : -40 °C à 85 °C
Temps d'accès rapide : 6 ns
Boîtier SOIC 8 composants à montage en surface pour des conceptions compactes

Bénéficiant d'un stock provenant d'un distributeur agréé, d'une documentation complète du fabricant et d'une traçabilité totale pour les applications critiques.

Spécifications techniques

Attributs du produit	Valeur de la propriété
Fabricant	Semiconducteur BYTe
Gamme de produits
Conditionnement	Bande magnétique (TR) \| Bande magnétique (TR)
Type de mémoire	Non volatil
Format de mémoire	ÉCLAIR
Technologie	FLASH - NOR
Taille de la mémoire	2 Mbit
Organisation de la mémoire	256K x 8
Interface mémoire	SPI - Quad E/S
Fréquence d'horloge	120 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page	3 ms, 3 ms
Temps d'accès	6 ns
Tension - Alimentation	1,65 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Emballage / Étui	8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur	8-SOP
RoHS