BY25Q256ESEIG(R)
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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BY25Q256ESEIG(R) - Mémoire Flash NOR SPI 256 Mbit
La mémoire flash NOR SPI BY25Q256ESEIG® de BYTe Semiconductor est une solution haute performance de 256 Mbits conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce composant authentique intègre des interfaces Quad I/O, QPI et DTR avec une fréquence d'horloge de 100 MHz, offrant un stockage non volatil fiable dans un boîtier CMS compact 8-WSON (8x6).
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 256 Mbits (32 Mo x 8) offre une capacité suffisante pour le stockage du micrologiciel, des données et de la configuration.
- Performances rapides : une fréquence d'horloge de 100 MHz et un temps d'accès de 7 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
- Interface flexible : la prise en charge des E/S quadruples SPI, QPI et DTR permet un débit optimisé et une meilleure intégration au système.
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V et plage de température de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles.
- Performances d'écriture fiables : cycles d'écriture de mots de 50 µs et de pages de 2,4 ms pour une programmation efficace
- Encombrement réduit : le boîtier 8-WDFN à pastille exposée et 8-WSON (8x6) optimise l'utilisation de l'espace sur la carte.
- Conforme à la directive RoHS : une fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales
Applications idéales
Cette mémoire Flash NOR est conçue pour les applications nécessitant un support à long terme, un approvisionnement certifié et une documentation complète du fabricant. Elle est notamment utilisée pour le stockage de la configuration des FPGA, le firmware des systèmes embarqués, les systèmes de contrôle industriels, les calculateurs automobiles et les infrastructures de télécommunications.
Distribution et traçabilité autorisées
Nous nous approvisionnons en composants BY25Q256ESEIG(R) auprès de distributeurs agréés, avec une documentation de traçabilité complète, les fiches techniques du fabricant et les certifications de qualité. Chaque unité est expédiée dans son emballage d'origine en bande et bobine afin de garantir son authenticité et sa fiabilité pour vos applications critiques.
Spécifications techniques complètes
Besoin d'assistance applicative, de modèles de référence ou de tarifs dégressifs ? Contactez notre équipe d'ingénierie pour une assistance à l'intégration et des engagements de disponibilité à long terme.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Semiconducteur BYTe |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 32M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S, QPI, DTR |
| Fréquence d'horloge | 100 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 50 µs, 2,4 ms |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (8x6) |
| RoHS |

BY25Q256ESEIG(R).pdf