BY25Q256ESSIG(R)

BY25Q256ESSIG(R) - Circuit intégré de mémoire flash NOR 256 Mbit

Le BY25Q256ESSIG(R) est un circuit intégré de mémoire Flash NOR haute performance de 256 Mbits (32 Mo x 8) de BYTe Semiconductor, conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce composant industriel est doté d'une interface Quad SPI avec prise en charge DTR et QPI, offrant un stockage non volatil fiable avec une fréquence d'horloge rapide de 100 MHz et un temps d'accès de 7 ns.

Principales caractéristiques et avantages

• Stockage haute densité : capacité de 256 Mbits organisée en 32 Mbits x 8 pour une gestion flexible des données
• Performances rapides : une fréquence d'horloge de 100 MHz avec un temps d'accès de 7 ns garantit une récupération rapide des données.
• Interface avancée : Quad E/S SPI avec modes QPI et DTR pour un débit maximal
• Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V, plage de température de -40 °C à 85 °C
• Fiabilité industrielle : conforme à la norme RoHS, boîtier SOIC 8 broches à montage en surface pour une intégration robuste
• Approvisionnement authentique : stock de distributeur agréé avec documentation complète du fabricant et traçabilité.

Applications

Idéal pour le stockage de firmware, de code de démarrage, de données de configuration et pour les applications de systèmes embarqués nécessitant des solutions de mémoire non volatile fiables et à longue durée de vie dans des environnements difficiles.

Spécifications techniques complètes

• BY25Q256ESSIG(R).pdf