BY25Q256ESWIG(R)

BY25Q256ESWIG(R) - Mémoire Flash NOR Quad SPI 256 Mbit

Le BY25Q256ESWIG(R) est un circuit intégré de mémoire Flash NOR haute performance de 256 Mbits (32 Mo) fabriqué par BYTe Semiconductor, conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce composant authentique est doté d'une interface SPI quadruple avec prise en charge DTR, offrant un stockage non volatil fiable avec une fréquence d'horloge de 100 MHz et un temps d'accès rapide de 7 ns.

Principales caractéristiques et avantages :

• Stockage haute densité : mémoire flash NOR de 256 Mbits (32 Mo x 8) pour une conservation étendue des données
• Performances rapides : fréquence d’horloge de 100 MHz avec un temps d’accès de 7 ns pour une récupération rapide des données.
• Interface polyvalente : interface SPI avec modes Quad I/O, QPI et DTR pour une intégration flexible
• Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V, plage de température de -40 °C à 85 °C
• Boîtier compact : connecteur CMS 8-WSON (5 x 6 mm) avec pastille thermique exposée pour la gestion thermique
• Qualité industrielle : conforme à la directive RoHS, convient aux applications critiques.

Applications :

Idéal pour le stockage de configurations FPGA, les systèmes embarqués, le stockage de firmware, l'enregistrement de données, les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels et les équipements de télécommunications nécessitant une mémoire non volatile fiable avec un support à long terme.

Authenticité garantie :

Provenant de distributeurs agréés, chaque unité est livrée avec la documentation complète du fabricant, la traçabilité et l'assurance qualité. Elle est conditionnée dans son emballage d'origine en bande et bobine, accompagnée de fiches techniques complètes et de certificats de conformité.

Spécifications techniques complètes :

• BY25Q256ESWIG(R).pdf