BY25Q256FSFIG(T)

Présentation du produit

Le BY25Q256FSFIG(T) de BYTe Semiconductor est un circuit intégré de mémoire Flash NOR série 256 Mbit hautes performances, conçu pour les applications embarquées, industrielles, automobiles et IoT exigeantes. Cette solution de mémoire Flash avancée offre des interfaces Quad I/O et QPI, garantissant des performances de lecture/écriture exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 100 MHz et un temps d'accès de 7 ns.

Principales caractéristiques et avantages

• Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 256 Mbits (32 Mo x 8) offre un espace de stockage non volatil suffisant pour le micrologiciel, les données de configuration et le code applicatif.
• Performances rapides : une fréquence d'horloge de 100 MHz et un temps d'accès de 7 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
• Interface flexible : les modes SPI, Quad I/O et QPI prennent en charge diverses architectures système et exigences de performance.
• Plage de températures industrielles : la plage de fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit un fonctionnement fiable dans des environnements difficiles.
• Fonctionnement à faible consommation : la plage de tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V optimise l’efficacité énergétique des appareils alimentés par batterie et des conceptions économes en énergie.
• Encombrement réduit : le boîtier CMS SOIC 16 broches (largeur de 7,50 mm) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
• Conforme à la norme RoHS : Conception respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications

Ce circuit intégré de mémoire Flash NOR polyvalent est idéal pour :

• Stockage du micrologiciel du système embarqué et code de démarrage
• Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
• Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
• Dispositifs IoT et capteurs intelligents
• Équipements et instruments médicaux
• Infrastructure de télécommunications
• Électronique grand public nécessitant une mémoire non volatile fiable

Résumé des spécifications techniques

Le BY25Q256FSFIG(T) associe la technologie Flash NOR éprouvée aux normes d'interface modernes. Avec des temps de cycle d'écriture de 50 µs pour les mots et de 2,4 ms pour les pages, ce circuit intégré mémoire offre les performances nécessaires aux mises à jour fréquentes tout en préservant l'intégrité des données. Les modes Quad I/O et QPI permettent aux applications gourmandes en bande passante d'atteindre un débit optimal.

Qualité et authenticité

Chez HQICKEY, nous garantissons l'authenticité à 100 % des composants BYTe Semiconductor, provenant directement de circuits agréés. Chaque circuit intégré BY25Q256FSFIG(T) bénéficie d'une traçabilité complète, de la garantie constructeur et de notre engagement à assurer une disponibilité à long terme pour vos besoins de production.

Produits et ressources connexes

Découvrez notre vaste sélection de semi-conducteurs de mémoire, notamment les solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM, pour vos projets embarqués et industriels. Visitez notre page d'accueil pour découvrir notre gamme complète de composants semi-conducteurs haut de gamme, ou consultez notre blog technique pour les dernières tendances, notes d'application et mises à jour produits.

• BY25Q256FSFIG(T).pdf