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BYTe Semiconductor

BY25Q32ESMIG(R)

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Quantity Unit Price Total Price
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15+ €0,87 EUR €13,05 EUR
25+ €0,86 EUR €21,50 EUR
50+ €0,81 EUR €40,50 EUR
100+ €0,71 EUR €71,00 EUR
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Quantité
Recycling Electronic Components

BY25Q32ESMIG(R) - Mémoire Flash NOR SPI 32 Mbit

La BY25Q32ESMIG(R) est une mémoire Flash NOR SPI 32 Mbit hautes performances de BYTe Semiconductor, conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce composant authentique est doté d'une interface SPI à quatre E/S avec une fréquence d'horloge de 120 MHz, offrant un stockage non volatil fiable dans un boîtier CMS compact 8 USON (2 x 3 mm).

Caractéristiques principales

  • Capacité Flash de 32 Mbit (4 Mo x 8) : espace de stockage suffisant pour le firmware, les données de configuration et le code applicatif.
  • Interface SPI Quad E/S - Interface périphérique série haute vitesse avec capacité de transfert de données quadruple
  • Fréquence d'horloge de 120 MHz - Opérations de lecture/écriture rapides avec un temps d'accès de 7 ns
  • Large plage de tension de fonctionnement : alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour une intégration système flexible.
  • Plage de températures industrielles - Fonctionnement fiable de -40 °C à 85 °C
  • Boîtier compact 8-USON - Format compact 2x3 mm avec pastille exposée pour la gestion thermique

Applications

Idéal pour le stockage de la configuration FPGA, le firmware des systèmes embarqués, les appareils IoT, les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels et les équipements de télécommunications nécessitant une mémoire non volatile fiable et rapide avec une longue durée de vie.

Authenticité garantie

Tous les composants BY25Q32ESMIG(R) proviennent de distributeurs agréés et sont accompagnés de la documentation complète du fabricant, d'une traçabilité et de certifications de qualité. Chaque unité est expédiée sous emballage scellé en usine (bande et bobine) afin de garantir son intégrité.

Spécifications techniques

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Semiconducteur BYTe
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 32 Mbits
Organisation de la mémoire 4M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S
Fréquence d'horloge 120 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 100 µs, 2,4 ms
Temps d'accès 7 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Coussinet exposé 8-UFDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-USON (2x3)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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