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BYTe Semiconductor

BY25QM512FSEIG(R)

Prix habituel €2,95
Prix habituel Prix promotionnel €2,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €2,95 EUR €2,95 EUR
15+ €2,71 EUR €40,65 EUR
25+ €2,66 EUR €66,50 EUR
50+ €2,51 EUR €125,50 EUR
100+ €2,21 EUR €221,00 EUR
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Quantité
Recycling Electronic Components

BY25QM512FSEIG(R) - Mémoire Flash NOR SPI haute performance de 512 Mbits

La mémoire Flash NOR SPI Quad E/S BY25QM512FSEIG® de BYTe Semiconductor est un dispositif haut de gamme de 512 Mbits (64 Mo x 8) conçu pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'automatisation industrielle, des équipements médicaux et des télécommunications. Cette solution de mémoire non volatile haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 100 MHz et un temps d'accès de 7 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués exigeants nécessitant une récupération rapide des données et une conservation à long terme de celles-ci.

Principales caractéristiques et avantages

  • Stockage haute densité : capacité de 512 Mbits organisée en 64 Mbits x 8, offrant un espace suffisant pour le micrologiciel, les données de configuration et les paramètres système critiques.
  • Performances rapides : une fréquence d'horloge de 100 MHz et un temps d'accès de 7 ns garantissent un accès rapide aux données pour les applications critiques en termes de temps.
  • Interface d'E/S quadruple : l'interface d'E/S quadruple SPI maximise le débit tout en minimisant le nombre de broches.
  • Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable dans une plage de températures allant de -40 °C à 85 °C avec une tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V.
  • Format compact : Boîtier CMS 8-WSON (8 x 6 mm) avec pastille exposée pour des performances thermiques améliorées
  • Fiabilité de niveau industriel : un temps de cycle d’écriture de 3 ms garantit des performances constantes même dans des environnements exigeants.
  • Conforme à la norme RoHS : Conception respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire Flash NOR polyvalente est parfaitement adaptée pour :

  • Systèmes aérospatiaux et de défense nécessitant un stockage de données à haute fiabilité
  • Applications pour calculateurs automobiles, systèmes d'infodivertissement et systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS)
  • Contrôleurs d'automatisation industrielle et automates programmables (PLC)
  • Systèmes d'équipements de diagnostic médical et de surveillance des patients
  • Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
  • Dispositifs IoT et plateformes de calcul en périphérie
  • Applications de stockage de firmware et de code de démarrage

Pourquoi choisir la mémoire flash à semi-conducteurs BYTe ?

BYTe Semiconductor propose des solutions de mémoire de pointe conçues pour les applications les plus exigeantes. La puce BY25QM512FSEIG® allie hautes performances, fiabilité exceptionnelle et format compact pour répondre aux exigences rigoureuses des systèmes embarqués modernes. Forte d'une qualité éprouvée et d'un support technique complet, BYTe Semiconductor est votre partenaire de confiance pour les solutions de mémoire critiques.


Produits et ressources connexes

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Semiconducteur BYTe
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 512 Mbits
Organisation de la mémoire 64M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S
Fréquence d'horloge 100 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 3 ms
Temps d'accès 7 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Plaque exposée 8-WDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-WSON (8x6)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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