BY25QM512FSEIG(R)
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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BY25QM512FSEIG(R) - Mémoire Flash NOR SPI haute performance de 512 Mbits
La mémoire Flash NOR SPI Quad E/S BY25QM512FSEIG® de BYTe Semiconductor est un dispositif haut de gamme de 512 Mbits (64 Mo x 8) conçu pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'automatisation industrielle, des équipements médicaux et des télécommunications. Cette solution de mémoire non volatile haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 100 MHz et un temps d'accès de 7 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués exigeants nécessitant une récupération rapide des données et une conservation à long terme de celles-ci.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : capacité de 512 Mbits organisée en 64 Mbits x 8, offrant un espace suffisant pour le micrologiciel, les données de configuration et les paramètres système critiques.
- Performances rapides : une fréquence d'horloge de 100 MHz et un temps d'accès de 7 ns garantissent un accès rapide aux données pour les applications critiques en termes de temps.
- Interface d'E/S quadruple : l'interface d'E/S quadruple SPI maximise le débit tout en minimisant le nombre de broches.
- Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable dans une plage de températures allant de -40 °C à 85 °C avec une tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V.
- Format compact : Boîtier CMS 8-WSON (8 x 6 mm) avec pastille exposée pour des performances thermiques améliorées
- Fiabilité de niveau industriel : un temps de cycle d’écriture de 3 ms garantit des performances constantes même dans des environnements exigeants.
- Conforme à la norme RoHS : Conception respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire Flash NOR polyvalente est parfaitement adaptée pour :
- Systèmes aérospatiaux et de défense nécessitant un stockage de données à haute fiabilité
- Applications pour calculateurs automobiles, systèmes d'infodivertissement et systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS)
- Contrôleurs d'automatisation industrielle et automates programmables (PLC)
- Systèmes d'équipements de diagnostic médical et de surveillance des patients
- Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
- Dispositifs IoT et plateformes de calcul en périphérie
- Applications de stockage de firmware et de code de démarrage
Pourquoi choisir la mémoire flash à semi-conducteurs BYTe ?
BYTe Semiconductor propose des solutions de mémoire de pointe conçues pour les applications les plus exigeantes. La puce BY25QM512FSEIG® allie hautes performances, fiabilité exceptionnelle et format compact pour répondre aux exigences rigoureuses des systèmes embarqués modernes. Forte d'une qualité éprouvée et d'un support technique complet, BYTe Semiconductor est votre partenaire de confiance pour les solutions de mémoire critiques.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Semiconducteur BYTe |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 64M x 8 |
| Interface mémoire | SPI - Quad E/S |
| Fréquence d'horloge | 100 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 3 ms |
| Temps d'accès | 7 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | Plaque exposée 8-WDFN |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-WSON (8x6) |
| RoHS |

BY25QM512FSEIG(R).pdf