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BYTe Semiconductor

BY25QM512FSFIG(T)

Prix habituel €3,95
Prix habituel Prix promotionnel €3,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €3,95 EUR €3,95 EUR
15+ €3,63 EUR €54,45 EUR
25+ €3,56 EUR €89,00 EUR
50+ €3,36 EUR €168,00 EUR
100+ €2,96 EUR €296,00 EUR
N+ €0,59 EUR Price Inquiry
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Quantité
Recycling Electronic Components

Mémoire Flash NOR haute performance BY25QM512FSFIG(T) de BYTe Semiconductor

La BY25QM512FSFIG(T) est une solution de mémoire Flash NOR 512 Mbit haut de gamme de BYTe Semiconductor, conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'automatisation industrielle, des dispositifs médicaux et des télécommunications. Ce composant haute fiabilité intègre une interface SPI Quad E/S, offrant des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 100 MHz et un temps d'accès ultrarapide de 7 ns.

Principales caractéristiques et avantages

  • Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 512 Mbits (64 Mo x 8) offre une capacité suffisante pour le stockage du micrologiciel, des données de configuration et du code.
  • Performances rapides : une fréquence d’horloge de 100 MHz avec un temps d’accès de 7 ns garantit une récupération rapide des données et une réactivité système optimale.
  • Interface d'E/S quadruple : la technologie SPI Quad I/O permet une communication série à haut débit avec un nombre de broches réduit.
  • Large plage de fonctionnement : la plage de températures de -40 °C à 85 °C prend en charge les environnements industriels et automobiles exigeants.
  • Alimentation flexible : la plage de tension de 2,7 V à 3,6 V s’adapte à diverses architectures système.
  • Conception pour montage en surface : boîtier SOIC 16 broches (largeur de 7,50 mm) optimisé pour l’assemblage automatisé et les applications à espace restreint.
  • Conforme à la norme RoHS : Conception respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Spécifications techniques

Applications et cas d'utilisation

La mémoire Flash NOR BY25QM512FSFIG(T) est parfaitement adaptée aux applications suivantes :

  • Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales nécessitant une fiabilité élevée
  • calculateurs automobiles, systèmes ADAS et systèmes d'infodivertissement
  • Contrôleurs d'automatisation industrielle et automates programmables
  • Dispositifs de diagnostic médical et de surveillance des patients
  • Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
  • Applications de stockage de microprogrammes embarqués et de code de démarrage
  • Dispositifs IoT nécessitant une conservation de données non volatile

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Semiconducteur BYTe
Gamme de produits
Conditionnement Tube |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 512 Mbits
Organisation de la mémoire 64M x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S
Fréquence d'horloge 100 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 3 ms
Temps d'accès 7 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 16-SOIC (0,295", largeur 7,50 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 16-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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