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CY621472GN30-45ZSXI
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Infineon CY621472GN30-45ZSXI - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone 4 Mbit
Le CY621472GN30-45ZSXI d'Infineon Technologies est un circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit appartenant à la gamme MOBL™. Ce composant mémoire à montage en surface (CMS) offre une organisation de 256 Ko x 16 et un temps d'accès rapide de 45 ns, ce qui le rend idéal pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles et de télécommunications exigeant une mémoire volatile fiable et rapide.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : temps d’accès et temps de cycle d’écriture de 45 ns pour les applications temps réel exigeantes
- Large plage de tension de fonctionnement : alimentation de 2,2 V à 3,6 V pour une intégration système flexible.
- Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
- Interface parallèle : interface SRAM asynchrone standard pour une intégration facile
- Boîtier compact : boîtier de montage en surface 44-TSOP II (0,400", largeur 10,16 mm)
- Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb
Applications
Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux mémoires tampon, aux mémoires cache, à l'enregistrement de données, aux systèmes embarqués, aux contrôleurs industriels, aux équipements de réseau et aux infrastructures de télécommunications où une mémoire volatile rapide et fiable est essentielle.
Garantie du distributeur agréé
Nous fournissons exclusivement des produits provenant de distributeurs agréés, accompagnés de la documentation complète du fabricant, d'une traçabilité totale et d'une garantie. Chaque unité répond aux normes de qualité d'Infineon et bénéficie de notre engagement pour une disponibilité optimale tout au long de son cycle de vie.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | MOBL™ |
| Conditionnement | Plateau | Plateau |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 45 ns |
| Temps d'accès | 45 ns |
| Tension - Alimentation | 2,2 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |  |
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